Расчет, проектирование и изготовление сварных конструкций. Учеб. пособие для машиностроит. вузов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 714 715 716 717 718 719 720... 764 765 766
|
|
|
|
(например,транзистор) имеет весьма чувствительный к нагреву кристалл 4 (рис. 22-31) с выводами, припаянными легкоплавким припоем с температурой плавления около 150° С, то воздействие процесса сварки должно быть минимальным. Первоначально для этой цели использовали конденсаторную контактную сварку по схеме, показанной на рис. 22-32. Однако при таком способе герметизации процент брака из-за выплесков внутрь корпуса и возникновения перегрева оказывается весьма большим. Применение холодной сварки позволяет исключить нагрев, но воз никающие при этом значительные пластические деформации могут вызвать разрушение изоляторов и кристаллодержателей. Ограничения деформации центральной части корпуса прибора достигаются созданием выточек, уменьшением жесткости фланцевой части корпуса или образованием гофр (рис. 22-33, о, б, в). При изготовлении электронных приборов (радиоламп, тиратронов, кинескопов и т. п.), для соединения тонких проволочек, лент, фольги применяют главным образом конденсаторную сварку. Для точной фиксации элементов при их сварке используют специальные приспособления или предусматривают наличие фиксирующих выступов и впадин на соединяемых деталях. Массовый характер производства деталей радиопромышленности требует осуществления механизации и автоматизации процесса изготовления. Примером детали, выпускаемой десятками миллионов штук в год, является резистор МЛТ (рис. 22-34), имеющий два одинаковых сварных соединения / — основание корпуса; 2 — выводы; 3 — изолятор; 4 — кристалл; 5 — кристаллодержатель; 6 — герметизирующий корпус; 7 — место сварки Рис. 22-31. Схема конструкции транзистора: Рис. 22-32. Схема контактной сварки корпуса транзистора с основанием: / — верхний электрод; 2 — нижний электрод; 3 — основание корпуса; 4 — герметизирующий корпус 712
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 714 715 716 717 718 719 720... 764 765 766
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
