и потому . находится в равновесном состоянии. При увеличении напряжения достаточно незначительного перемещения атомов, чтобы она превратилась в обычную атомную плоскость. Теперь экстраплоскостью станет уже соседняя плоскость —(?\ которая также находится в равновесии, а дислокация переместится на одно межатомное расстояние. При достаточной величине напряжения этот процесс может повторяться много раз до тех пор, пока дислокация

Ю 96 7 654321 10 9 Ь 7 6 5 4 3 2 1

Рис. 16. Схема перемещения винтовой дислокации путем скольжения.

не дойдет до поверхности кристалла, где образуется ступенька в одно межатомное расстояние (точнее, в один вектор сдвига).

Процесс движения дислокации осуществляется очень легко, так как при этом происходит не передача масс, а только незначительное перемещение одного ряда атомов. При таком, несколько упрощенном представлении о механизме движения дислокации, ее перемещение должно происходить вообще без дополнительной затраты энергии, поскольку при любом положении экстраплоскости силы, действующие на нее с одной и другой стороны, равны.

На самом деле для каждого акта перемещения дислокации нужно преодолеть определенный энергетический барьер. Поэтому для скольжения дислокации требуется некоторое минимальное напряжение тр. Величину этого напряжения приближенно определяют по формуле

Хр = реТ кГ/мм2,(11.5)

где В — век гор Бюргерса, мм; С — модуль сдвига, кГ/мм2; со — ширина дислокации, мм; е — основание натуральных логарифмов.

Перемещение винтовых дислокаций происходит несколько сложнее, но по тому же принципу и так же легко, как и линейных дислокаций. Схема перемещения винтовой дислокации показана на рис. 16: рис. 16, а соответствуем начальному состоянию, при котором эта дислокация расположена в пределах рядов 3—6; рис. 16, б* — измененному положению дислокации, сместившейся на одно межатомное расстояние влево.

Диффузионное движение дислокаций происходит сравнительно медленно, как и вообще все процессы, свя-

занные с диффузией. Так могут перемещаться только линейные дислокации. Предположим, что вследствие диффузии край экстраплоскости 0—ф (рис. 15) приобретает новые ряды атомов или, наоборот, теряет их. В первом случае дислокация будет перемещаться вниз, в глубь металла, тогда как во втором она постепенно уходит вверх и может вообще выйти на поверхность кристалла и вырваться в окружающее пространство. При комнатной температуре процессы диффузионного перемещения дислокаций протекают медленно и не имеют большого значения, но с увеличением температуры они быстро активизируются.

В реальных условиях чаще всего встречаются дислокации смешанного типа, одни участки которых являются линейными, а другие — винтовыми. Так, дислока-

Рис. 17. Дислокационная петля.

Рис. 18. Расположение атомов на участке смешанной дислокации.

ционную петлю (рис. 17) можно представить как дислокацию смешанного типа. При указанном направлении вектора сдвига участок Ах является положительной, а А2 — отрицательной линейной дислокацией. Соответственно участки Вг и В» представляют собой правую и левую винтовые дислокации. На участках С^С^С^С, имеет место дислокация смешанного типа (рис. 18).

Образование дислокаций происходит: 1) в процессе первичной кристаллизации металла; 2) при срастании отдельных кристаллов; 3) путем превращения скопления вакансий в дислокацию; 4) из источников Франка — Рида.

Иногда в самом процессе первичной кристаллизации какая-либо причина заставляет атомы укладываться так, что они создают