Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 157 158 159 160 161 162 163... 494 495 496
|
|
|
|
о -г -ч sL 1 Е I Ч6810 lg q*, 8гп/спг Рис 5 4 Критическая плотность потока цщ при различных толщинах поглощения излучения 6^ 1 — фтуктационвые пузырьки, 2 — гото вые пузырьки гДе 'ж— время существования пузырька до соприкосновения с поверхностью, и — скорость роста пузырька, равная рэлеевской скорости, V = = 1^(2/3) Ар/7о [¡6], для которой достаточно приближенной оценки = VtШxt№: = V (2/3) Арт/у„^, (5 23) гдє углах К(2/3) Арт1у0 — характерная скорость роста пузырьков, Арт = = Ро (Т'тах) — Р Время существования пузырька определяется временем до соприкосновения с поверхностью жидкости *ж = 6/(1 и0 \ + ишах), ^п = битах/(|"о| + "шах) (5 24) Оценки показывают [7], что при плотностях потока, близких к критическому значению для смены механизмов испарения, иШах существенно превосходит | и„ |. Среднее число пузырьков в единице объема [16] Мп^Ю-10/2г2т, (5 25) где Гцт = 2ат1Арт — критический радиус; от = а (Тт) Температурная зависимость о (Т), как и I ь (Т), хорошо аппроксимируется линейной функцией Т а (Т) = о0 (Г* Т)/(Т„ — Т„) ,(5 26) где (Тф — Т0) — температурный диапазон, о0 — значение о (7) при температуре Т0 Для алюминия при температуре плавления о0 = 0,737 Н/м Скорость образования флуктуацион-ных пузырьков [3] I Хехр(_^). (5 27) .(Число таких пузырьков, образующихся в единице объема за время существования пузырька, Nnf = // (Tm) fAl = If (Tm) X X , Г, , q , (5 28) 1 "о I + vm где бг — толщина слоя диффузии тепла, bq — толщина слоя поглощения излучения Расчеты критической плотности потока qt, при которой происходит смена механизма поверхностного испарения на объемное парообразование с учетом флуктуационных н готовых пузырьков, показывают, что неучет собственного роста готовых пузырьков при больших толщинах поглощения ЛИ может приводить к значительным ошибкам [7] Связь между ?* и толщиной слоя поглощения bq для флуктуационных (кривая 1) и готовых (кривая 2) пузырьков с учетом собственного роста представлена на рис 5 4 Пересечение кривых J к 2 образует границу ABC, ниже которой (область I) преобладает поверхностное испарение, а выше ABC (область II) основную роль играет объемное парообразование. Данные расчетов показывают, что флуктуационное кипение является основным механизмом объемного парообразования в диапазоне 69^ 5,6 X X 10"2 см
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 157 158 159 160 161 162 163... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
