Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 195 196 197 198 199 200 201... 494 495 496
|
|
|
|
на нее ЛИ В парах испаренного углеводорода происходила гомогенная конденсация, в результате которой образовывались мелкие частицы конденсированных фаз углерода Методами электронной и рентгеновской дифракции в продуктах лазерного нагрева обнаружены алмаз, графит, лонсдейлит, карбин По-видимому, основную роль в этом процессе играет быстрая закалка продуктов лазерного синтеза, на что указывают опыты по твердофазному переходу графита в алмаз Частицы графита разогревались ЛИ до 3000 К, а затем охлаждались жидким азотом В тонком поверхностном слое происходила быстрая закалка и образование метастабильных фаз углерода алмаза и карбина [59] Для образования монокристаллов закиси меди значительной длины в окислительной атмосфере использовали излучение лазера на С02 мощностью 40 Вт Излучение фокусировалось в пятно диаметром 1 мм [39] Исследование поперечных шлифов образца позволило установить, что окисная пленка образует плоскопараллельный слой с резкой границей разделов Си/Си20/СиО Рентгеноструктур-ный анализ показал, что закись меди растет в виде монокристаллического слоя, который обладает повышенной стойкостью к травителям и механическому воздействию и имеет лучшее сцепление с подложкой, чем окисел, выращенный в изотермических условиях Обнаружен рост отдельных, редко расположенных длинных кристаллов закиси меди [39] Эти кристаллы резко выделяются на общем фоне плоскопараллельной монокристаллической закисной пленки За время действия ЛИ (30 мин) удавалось выращивать кристаллы длиной до 1 мм При нагреве источником теплоты с широким спектральным диапазоном длинных кристаллов закиси меди получить ие удавалось при той же средней мощности 6.5. Термохимические явления при лазерном излучении Воздействие ЛИ на вещества стимулирует развитие термохимических реакций, с помощью которых можно вос станавливать металлы, разлагать сложные соединения, синтезировать материалы, окислять поверхность металлов и т д Подробнее изложение термохимических явлений при лазерном воздействии на вещества изложено в обзорах [2—5] Окисление металлов При обработке металлов, находящихся в среде кислорода или на воздухе, на поверхности тела образуется окисел, изменяющий поглощательную способность Слои окислов, как следует из опытных дан ных, растут даже при действии весьма коротких импульсов ЛИ (-—100 не) При длительностях импульсов ~1 мс толщина пленки окисла достигает 0,01—0,1 мкм [2], а воздействие непрерывного ЛИ приводит к образованию окисных плевок толщиной в десятки микрометров Поверхностнее изотермическое окисление металлов протекает в несколько стадий, включая адсорбцию кислорода на поверхности, связывание им свободных эчектронов металла или образующегося окисла, диффузию и электроперенос ионов металла и кислорода по дефектам (вакансиям, междоузлиям и др ) продуктов реакции к межфазным границам, а также собственно химическую реакцию, приводящую к образованию нового слоя окисла [1, 19, 60] Скорость окисления металлов зависит от ряда факторов (температуры, толщины окисла, давления кислорода и др ), но в каждом конкретном случае определяется скоростью самой медленной (лимитирующей) стадии Кинетика изотермического окисления металлов в ряде случаев может быть описана уравнением где к — толщина окисла; Вт — константа, Т-л — энергия активации лимитирующей стадии реакции, выраженная в градусах [обычно Та = (1-4-5) X X 104 К], т и п — параметры Из уравнения (6 4) можно получить большинство известных законов окисления При пг = я = 0 уравнение (6 4) описывает линейное окисление, при котором скорость реакции не зависит от толщины окисла. При ш = О,
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 195 196 197 198 199 200 201... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
