Лазерная и электроннолучевая обработка материалов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 83 84 85 86 87 88 89... 494 495 496
|
|
|
|
Координаты огибающей треков электронов (см. рнс. 3.11), прошедших путь S в материале, определяют из выражений S х = У2 + [ sin [a (S) + a0J dS = s = d0/2 -feos a0 j sin а (S)dS -4-o s + sin ct„ j" cos a (S) dS; o s y— J eos fes (5) -fa0] dS — o s = eos a0 eos a (S) dS — oJ 5 — sin a0 f sin а (S) dS. (Í.24) a(z,r)-10~s 1 l j 4 5 16 _ —?—1 7 —l— 5 i? 0 0,1 0,1 0,3 0,4 0,5z/rs Результаты расчета параметров взаимодействия ЭЛ с некоторыми материалами приведены в табл. 3.1 [27]. Из табл. 3.1 следует, что сила тока отраженных электронов для малых значений атомного номера X (X ; 30) определяется упругим рассеянием с отклонением на большие углы; для X 30 доля электронов, прошедших в материал, уменьшается вследствие выхода на поверхность диффузно рассеянных электронов. При построении источника теплоты в веществе, на которое действует ЭЛ, на характер распределения температур существенное влияние оказывает отношение диаметра луча к глубине проникновения электронов. Обработка материала (плавление, выброс) будет эффективной только при d 26, т. е. использование очень тонких пучков, диаметр которых меньше глубины проникновения электронов, для микрообработки затруднительно [14]. На рис. 3.12 представлены пространственные распределения плотно Рис. 3.12. Пространственное распределение источников теплоты 127]
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 83 84 85 86 87 88 89... 494 495 496
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
