Технология упрочнения. Технологические методы упрочнения. В 2 т. Т. 2.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 8 9 10 11 12 13 14... 339 340 341
|
|
|
|
Это наиболее упруго искаженная область дислокаций носит название ядра дислокации. Дислокацию, изображенную на схеме рисунка 1.9, принято называть положительной дислокацией а, отрицательную дислокацию т (экстраплоскость расположена ниже линии АС). Длина линии дислокации может насчитывать много десятков тысяч периодов решетки, а форма может изменяться от прямолинейной до спирали, замкнутой петли, клубка и т.д. (дислокации смешанной ориентации). 2) Образование винтовой дислокации можно представить себе следующим образом. Нарежем кристалл по плоскости О, (рис. 1.10) и сдвинем одну его часть относительно другой по этой плоскости на один период решетки, параллельно краю надреза СД. При этом горизонтальные атомные плоскости несколько прогнутся и край каждой из них сомкнётся с краем ближайшей Рис. 1.10 Схема образования винтовой дислокации: Кристалл как бы образован одной атомной плоскостью, закрученной по винту. 22 соседней плоскости. В результате кристалл кажется образованным кпк бы единой атомной плоскостью, закрученной по винту. Линия СД есть линия винтовой дислокации. Она параллельна вектору сдвига (обозначенному стрелкой) в отличие от краевой дислокации, линия которой перпендикулярна вектору сдвига. 3)Частичные дислокации. Перемещение атомов не вдоль единичного вектора тождественной трансляции, а вдоль вектора меньшей мощности приводит к образованию частичной дислокации (рис. 1.11). На рисунке 1.12 представлена частичная дислокация, полученная путем формирования в гранецентриро-ййнпой решетке лишней плоскости А. Остальные плоскости решетки раздвинуты, что потребовало значительно большей анергии. По этой причине такая дислокация не может скользить (это так называемая сидячая или полузакрепленная дислокация Франка). На рисунках 1.11, 1.12 изображены дислокации, полученные путем изъятия из гексагональной решетки слоя А и В. Гак как простое соприкосновение двух слоев АА не образует плотной упаковки, то в данном случае необходим еще и тпнгепциальный сдвиг этих двух слоев АА. ') та частичная дислокация также не может скользить. Поэтому ее называют (сидячей) дислокацией Френеля (рис. 1.12,а). На рис. 1.12,6 изображена частичная дислокация Шотки. Она получена путем смещения левой части кристалла относительно нижней части по плоскости, показанной жирной линией, 0\ перпендикулярную плоскости рисунка. ')та дислокация легко подвижна, так как для ее передвижения не требуется сближения или раздвижки атомных плоскостей. 4)Дефекты упаковки. Прослойку с нарушенным чередованием плотноупакованных слоев называют дефектом упаковки. Дефект упаковки можно создать сдвигом в плоскости плотнейшей упаковки, удалением или внедрением одной плотноупакованной плоскости (или части ее) или другими способами. Появление дефект упаковки не изменяет ни числа ближайших соседей, ни расстояния до них. Но, как показывает зонная теория, и:1 :а изменения в расположении следующих слоев (не ближайших) возрастает энергия электронного газа. Следовательно, с нонвлением дефекта упаковки связан избыток энергии, который налипают энергией дефекта упаковки. Под ней подразумевают избыточную свободную энергию единицы площади дефекта упаковки. Теория показывает, что у одновалентных непереходных металлов (Си, Ag, Аи) энергия дефекта упаковки мала, а у многовалентных (А1, 1У^, Ъп, Са) велика. Экспериментально энергию дефекта упаковки можно оценить косвенным путем по 23
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 8 9 10 11 12 13 14... 339 340 341
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
