Высокие скорости распыления магнетронных устройств дают существенные преимущества перед методом катодного распыления при получении на стеклах многослойных покрытий с различными декоративными и оптическими эффектами. Многослойные покрытия с использованием реакционного распыления металла позволяют получать фотохромные и элект-рохромные покрытия. Покрытия из латуни и бронзы, полученные магнетронным способом, дают равномерное цветное покрытие без применения окрашенных защитных лаков, а также покрытия из нержавеющей стали, для которых в ряде случаев можно отказаться от защитного лака. При магнетронном методе пленка формируется из атомов распыленного металла и имеет высокий коэффициент отражения, а в случае распыления сплава полностью сохраняется стехиометрический состав исходного материала. Но магнетронные установки сложнее в обслуживании и дороже в изготовлении. Опробовано распыление ряда других материалов, например, бронзы, хрома, оловянно-свинцовых припоев. Применение только одного из изделий с магнетронным титановым покрытием позволяет получить годовой экономический эффект. Изготовлена вакуумная установка для нанесения защитно-декоративных покрытий на штучные изделия с МРЦ 20-65/100 типа УВ-89. 324 !£Ов 2.4. Метод активированного реакционного испарения Метод активированного реакционного испарения (АРИ) (рис. 2.3) является модификацией широко известного метода термического испарения и конденсации в вакууме. Метод позволяет I достаточной производительностью получить тугоплавкие соединения типа карбидов, нитридов, окислов, сульфидов и аналогичных материалов. Рис. 2.3. Схема метода активного реакционного испарения. При реакционном испарении в вакуумную камеру подают дозированное количество газов, таких, как азот, кислород, углеводороды (метан, ацетилен) и др. При этом испаряющиеся атомы металла, взаимодействуя с атомами газа, образуют химические соединения, например: 2Ті+С2Н2-"2ТіС+Н2 С целью полноты протекания реакции применяют различные способы ттивирования или ионизации атомов металла в паровой фазе и лш'. В качестве источника испарения используют в основном тлеоковолътные электронно-лучевые пушки, нагрев которыми сопровождается формированием над поверхностью расплава тон-яоїх) слоя плазмы. С помощью помещенного над расплавом электрода с небольшим положительным потенциалом (50-400 В) низкоэнергетиче-скис вторичные электроны вытягиваются из плазменного слоя и образуют плазменную область между расплавом и электродом. V 325