кристаллический сдвиг по
плоскости контактирования создаст в тонком слое кристаллитов или даже
элементарных кристаллов температурный импульс, всегда превышающий точку
плавления для слоя металла, участвующего в эффекте сваривающего
сдвига.
Исходя из этих положений,
произведем некоторые дополнительные расчеты. Осевая осадочная энергия
Рослое по плоскости контакта превращается в радиально
расходящуюся энергию сдвига
(3.42)если считать г — число слоев элементарных
кристаллов, участвующих во взаимном сдвиге; б — параметр решетки
кристалла; S — площадь
контактирования.
Ранее, в гл. 1, была получена
формула (1.39) для расчета температуры в плоскости контакта
Тк, если в плоскости контакта концентрируется любая энергия.
Для энергии сдвига [см. формулу (3.42) 1, как видно, можно написать
расчетную формулу типа (1.39), если сохранить в ней константы,
действительные для микрообъема. Это значит, что равенство (1.39) надо
изменить так:
(3.43)при тех же самых х = 2 ^~at
Поскольку qt — pCKBzSS,
подставляя
получаем выражение для температуры
В данном случае речь идет о
сдвигах на расстояние параметра решетки, поэтому
>где vaB — звуковая частота, определяемая как
скорость звука е8Я,
отнесенная к параметру кристалла б.
148
