Променеві методи обробки: Навч. посібник

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Променеві методи обробки: Навч. посібник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 24 25 26 27 28 29 30... 164 165 166

	 В.С. Черненко, М.В. КІндрачук, 0.1. Дудка. Променеві методи обробки їх з атомними та вільними електронами речовини. Останнім пере­дається кінетична енергія первинних електронів, внаслідок чого вони можуть подолати потенціальний бар'єр і вийти за межі самої речовини. Виникає вторинна електронна емісія з оброблюваної по­верхні. У результаті взаємодії з речовиною одним з описаних вище способів електрони пучка можуть змінювати напрям свого руху на зворотний і вийти за межі оброблювальної деталі назад в робочу камеру установки. Це явище називається відбиттям електронів. Якщо при цьому електрони пучка втрачають частину своєї енергії, то це непружне відбиття. Можливе також пружне відбиття - без втрат енергії. Зворотне розсіювання менше ймовірне, ніж розсіювання на ядрах, але воно суттєво впливає на розподіл енергії при електрон­но-променевому нагріванні, бо електрони, що повертаються у ва­куум, забирають з собою частину потужності пучка. Ймовірність ов-взаємодії електронів пучка та речовини визна­чається формулою: (2.9) де (v — енергія електронів пучка (первинних); \і>! 2 -та частина енергії, яку первинний електрон передає зу­стрічним електронам речовини (вторинним). Із формули (2.9) видно, що ае зменшується при збільшенні як енергії електронів пучка и»с, так і енергії вторинних електронів м>{ 2. Внаслідок цього біля самої поверхні оброблювальної речовини, де швидкість електронів і їх енергія уу, ще великі, ймовірність пере­дачі енергії електронам речовини менша, ніж на певній глибині, і вторинних електронів буде утворюватись дуже мало. При заглиб­ленні у речовину уу, зменшується, а уу(, збільшується. Отже, емісія вторинних електронів головним чином відбу­вається не з поверхні речовини, а з більш глибинних її шарів. Не­прямим наслідком з формули (2.9) є можливість отримання мак­симальної температури не на самій поверхні виробу, а на певній глибині. Таким чином, проходячи через речовину, електронний пучок викликає різні збурення вії кристалічній решітці. Наслідками цьо­го є локальне підвищення температури, виникнення рентгенівсь­кого випромінювання та утворення відбитих і вторинних елект­ронів. Останні два явища є негативними, тому що вони забирають 26 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу