Променеві методи обробки: Навч. посібник

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Променеві методи обробки: Навч. посібник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 30 31 32 33 34 35 36... 164 165 166

	 В.С. Черненко, М.В. КІндрачук, О.І. Дудка. Променеві методи обробки (3.4) де и>£—енергія, необхідна для подолання потенціального бар'є­ра при наявності зовнішнього електричного поля; и> — енергія, необхідна для подолання потенціального бар'єра у відсутності зовнішнього електричного поля; е — заряд електрона; Е— напруженість електричного поля. Чим остання виша, тим меншою є висота потенціального бар'єра. 2. При напруженості поля Е~ 10'' В/смбез підігрівання еміте­ра виникає автоелектронна емісія. Причиною цього є різке зву­ження потенціального бар'єра під дією сильного електричного поля. Дійсно, в однорідному електричному полі ширина бар'єра, наприклад, на висоті, що відповідає рівню енергії Фермі (рис.3.1), дорівнює: (3.5) де 5— ширина потенціального бар'єра; ус— енергія, необхідна для подолання потенціального бар'єра; е — заряд електрона; £— напруженість електричного поля. Рисунок 3.1. Схема потенціального бар 'єра При великій напруженості поля Еширина бар'єра може ста­ти досить малою. Крім того, за законами квантової механіки у елек­трона з енергією, меншою від и>£, з'являється можливість просмок­туватися через потенціальний бар'єр - так званий тунельний ефект. Для цього напруженість електричного поля повинна бути такою: (3.6) rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу