Главная


Материаловедение в микроэлектронике




Листать книгу
Листать
Страницы: 1 ... 22 ... 66 ... 110 ... 142
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22


скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике




В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверх
...
С одной стороны, создавались и совершенствовались технологические методы изготовления микроэлектронных приборов н схем, а с другой — широким фронтом проводились фундаментальные исследования физических свойств пленочных систем
...
Окончательно сомнения в необходимости разумного синтеза указанных направлений развеялись после того, как в результате глубоких исследований свойств твердых тел, и в первую очередь их поверхностных свойств, а также изучения физических характеристик материалов в тонкопленочном состоянии были созданы совершенно новые типы приборов, например полевые транзисторы, приборы зарядной связи, приборы, основанные на плазменных эффектах в твердых телах, и т
...
В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверх
...
С одной стороны, создавались и совершенствовались технологические методы изготовления микроэлектронных приборов н схем, а с другой — широким фронтом проводились фундаментальные исследования физических свойств пленочных систем
...
Однако до настоящего времени не предпринимались попытки показать глубокую и неразрывную связь технологического и материаловедческого аспектов микроэлектроники
...
Предлагаемая вниманию читателей книга является одной из первых в мировой литературе монографий, посвященных матерпаловедческим проблемам в микроэлектронике
...
Авторы последовательно, с единых позиций анализируют процессы и явления в материалах, выполняющих в микроэлектронике разнообразные функции во многих системах — от проводников н резисторов до магнитных матриц, криотронов, оптоэлектронных систем, больших интегральных схем и
...
Существенно, что этот сложный и многоплановый материал, столь необходимый современному инженеру, работающему в области микроэлектроники, представлен в подробном и доступном изложении
...
В целом книга посвящена, скорее, принципам, чем деталям технологических процессов, благодаря чему авторам практически удалось избежать субъективных оценок, имеющих место в литературе по технологии микроэлектроники, связанных с конкретными производственными условиями, спецификой оборудования и методов измерений
...
К числу несомненных достоинств книги следует отнести то, что в ней последовательно и систематически проводится новая концепция, согласно которой многочисленные и на первый взгляд разрозненные физико химические процессы в микроэлектронике могут быть поняты с единых позиций современной физики твердого тела
...
Вместе с тем, стремление авторов отразить новейшие достижения по таким вопросам, как представление о характере сил межатомного взаимодействия на поверхности и о природе и типах структурных перестроек атомов в поверхностных слоях, по которым в литературе не существует единой точки зрения, привело к тому, что отголоски этих неустоявшихся представлений проявились в соответствующих разделах книги
...
Необходимо, однако, отдавать себе отчет в том, что столь необъятную и быстро развивающуюся область, как материаловедение в микроэлектронике, чрезвычайно сложно осветить в одной книге
...
При подборе материала авторам пришлось сосредоточить внимание лишь на некоторых важнейших вопросах, не нашедших еще достаточно подробного отражения в литературе
...
К их числу относится изучение атомной и электронной структуры реальной поверхности, разновидностей дефектов в тонкопленочных системах, а также исследование физических процессов, протекающих при кристаллизации тонкопленочных слоев с участием химических реакций или высокоэнергетических частиц, например, при катодном распылении и др
...
Существенно, что при изложении этих вопросов, выявляя определяющие физические факторы, авторы постоянно указывают, какие именно аспекты важны в том или ином варианте технологии
...
Кроме того, детально описаны механизмы ряда процессов, обычно относившихся в технологии микроэлектроники к числу чисто практических вопросов, например диффузионные явления и процессы растекания на поверхности пленка — подложка, свойства переходного слоя и т
...
Замена в современном приборостроении громоздких электровакуумных приборов, аппаратов и устройств, действующих по сравнительно простым электромеханическим принципам, приборами в твердотельном и пленочном исполнении, т
...
Ведущая роль материаловедения в настоящее время широко признана в таких старейших областях техники и промышленности, как машиностроение, электротехника, энергетика и химическая промышленность
...
Эта наука широко опирается на комплекс теоретических и прикладных наук, связанных с разнообразными металлами и сплавами, различными синтетическими материалами и пластмассами или же со специальной обработкой этих материалов — термической, механической, химико
...
Проблемы материаловедения в области микроэлектроники определяются спецификой процесса микроминиатюризации, основанного на создании интегральных полупроводниковых и гибридных пленочных микросхем, состоящих из многослойных систем типа металл
...
Увеличение на три порядка плотности компоновки деталей в единице объема, повышение надежности их работы, увеличение на два по рядка быстродействия и снижение стоимости электронной аппаратуры поставили ряд совершенно новых задач перед материаловедением в области микроэлектроники
...
Переход к пленочному исполнению приборов и активных элементов сложнейших электронных устройств обусловил появление целого комплекса проблем, которые могут быть объединены под общим названием — пленочное материаловедение
...
Развитие физики тонких пленок и пленочного материаловедения революционизирует сами методы изучения вещества широким использованием электронной микроскопии, электронографии, рентгенодифрактомет
...
Систематическое изучение физики и химии поверхности в полной мере подтверждает наличие особых свойств этой части твердого тела и большого количества разнообразных поверхностных эффектов и явлений
...
Планарный принцип микроминиатюризации предусматривает управляемое осуществление всех перечисленных выше процессов перехода из первоначального неравновесного состояния в состояние, близкое к термодинамическому равновесию
...
Впечатляющие достижения микроэлектроники по существу неотделимы от использования илаиарного прин цйпа микроминиатюризаций для разработок конструкций и технологии
...
В монографической литературе ощущается серьезный пробел в освещении проблем материаловедения, специфичных для микроэлектроники, и в изложении с единой точки зрения вопросов корреляции между технологией, структурой
...
Ограниченный объем книги не позволил нам остановиться на научных проблемах вакуумной технологии, а также рассмотреть многие другие важные вопросы, которые по названной причине оказались опущенными или освещены в книге слишком сжато
...
Однако мы полагаем, что и в таком виде книга будет полезной для конструкторов, технологов и исследователей, работающих в области микроэлектроники, а также для аспирантов и студентов старших курсов университетов и втузов
...
МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ И СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ Технологические методы и процессы, применяемые в микроэлектронике и при микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры, используют всевозможные материалы и широкий диапазон различных на них воздействий
...
Поэтому для решения современных практических проблем материаловедения приходится сочетать строгие квантовомеханические принципы с полуэмпирическими методами
...
У обоих атомов хлора молекулы хлора в валентной оболочке имеется по одному неспаренному электрону, объединение которых, в соответствии с принципом Паули, создает молекулу хлора
...
В соответствии с этой моделью валентность повышается до тех пор, пока неспаренные электроны могут заполнять орбитали, характеризуемые одним и тем же побочным квантовым числом
...
Метод эффективно использован для объяснения свойств двухатомных и более сложных молекул и может быть положен в основу объяснения образования химической связи в твердых телах
...
Это обстоятельство обусловило фактически монопольное господство представлений зонной теории при объяснении физических свойств металлов, полупроводников и диэлектриков
...
Хотя зонная теория весьма наглядно объясняет наиболее существенные явления в твердых телах, связанные со свойствами их электронного компонента, многие вопросы, имеющие фундаментальное значение
...
В молекуле серной кислоты, например, вокруг центрального атома серы с четырьмя атомами кислорода, одинаково прочно связанными с серой, образуется координационная сфера
...
Валентные электроны в таких структурах обобществлены и образуют электронный газ, который может перемещаться под действием внешнего электрического поля
...
Понятие об уширении энергетических уровней, отвечающих орбиталям валентных электронов, позволяет объяснить структуру и свойства широкого класса соединений, которые не могут быть отнесены к типичным солям или к веществам с типично ковалентной связью
...
ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ В реальных кристаллах идеальная симметрия кристаллической решетки, как правило, претерпевает козмущающее воздействие различных внешних факторов
...
Уменьшение симметрии может возникнуть в процессе теплового расширения тела, а для некоторых веществ при определенных температурах может возникнуть и полная перестройка решетки с существенным изменением характера симметрии
...
Точечными называют дефекты, которые возникают при наличии в кристаллической решетке атомов, расположенных в несвойственных для симметрии идеальной решетки позициях
...
При отсутствии атомз в узле решетки одного из основных компонентов твердого тела говорят о наличии вакантного узла или вакансии, которые отсутствуют в идеальной решетке, В отличие от этих
...
Сопоставление контуров, один пз которых проведен вокруг совершенной части кристалла, а другой — в области, содержащей дислокацию, показывает, что в последнем случае контур оказывается незамкнутым
...
Пластическое вдавливание участка грани кристалла обусловливает движение и объединение дислокаций, благоприятно ориентированных в плоскостях скольжения, и вызывает образование петли
...
Более существенный разрыв периодичности решетки возникает при двойниковании первого порядка, когда плоскость двойникования ие совпадает с композиционной плоскостью
...
Двоиникование более высокого порядка, естественно, вызывает еще большие искажения структуры, приближающиеся в предельном случае к обычной межзеренной границе
...
Последнее обусловлено тем, что переохлажденная жидкость находится в метастабильном состоянии, так как ее свободная энергия выше, чем у кристалла того же химического состава
...
Стеклообразное состояние — это вид аморфного состояния, в котором вещество обладает вязкими свойствами истинных твердых кристаллических тел и отличается способностью после расплавления возвращаться, при некотором заданном режиме охлаждения, в исходное состояние
...
Из этого определения следует, что наиболее существенной чертой стеклообразного состояния, отличающей его от других видов аморфного состояния, являются его устойчивость и воспроизводимость при повторных циклах плавления — затвердевания
...
Такие связи называют шарнирными, так как два структурных комплекса, соединенных такой связью, могут сравнительно легко разворачиваться относительно друг друга
...
Для различных элементов периодической таблицы или химических систем, содержащих различные элементы, рассмотренные выше, условия стеклообразования выполняются в разной степени
...




Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой