Материаловедение в микроэлектронике

Листать книгу

Страницы: ... ... ... ...

скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике

Для практических целей на поверхность керамических изделий с развитой сеткой границ между элементами структуры и свободных поверхностей часто наносят слои металла
...
Тонкие металлические и изолирующие пленки на поверхности подложки или приповерхностные слои в полупроводнике в активных и пассивных элементах микросхем в рабочем состоянии находятся под воздействием электрических полей
...
Повышение температуры вызовет резкое ускорение электродиффузии, поскольку коэффициент диффузии будет зависеть от температуры так же, как и при обычной диффузии
...
Выше рассматривалась диффузия в твердой фазе, когда возникают лишь твердые растворы внедрения и замещения, не изменяющие существенно структуру и свойства вещества
...
Во многих случаях диффузионное перемешивание через границу раздела приводит к образованию новой фазы в результате реакции между атомами или молекулами граничащих друг с другом веществ Л
...
Возникнове ние новой фазы на границе раздела приводит к замедлению диффузии вследствие того, что диффундирующие атомы связываются с атомами матрицы прочной связью
...
Из данных оценки видно, что коэффициенты диффузии компонентов образовавшейся интерметаллической фазе велики сравнительно с коэффициентами диффузии в чистых металлах
...
Представление о возможности появления коллективных взаимодействий при реактивной диффузии тесно связано со структурой зоны реакции между двумя граничащими разнородными фазами
...
Область прослойки соединения, образовавшегося в результате твердофазной реакции и непосредственно примыкающая к границе раздела, как правило, значительно отличается по составу от стехиометрического
...
Если расплав и твердая фаза оба двухкомпонентны, концентрации компонентов по обе стороны от границы определяются в соответствии с диаграммой равновесия
...
В случае реакции на поверхности пластины, помещенной в раствор вертикально, и при перемешивании в результате естественной конвекции поток вещества от поверхности в глубь раствора равен
...
Микроскопический механизм растворения твердого тела с ковалеитиой связью в качестве первоначальной стадии включает в себя акт адсорбции частицы раствора Агв
...
При электрохимическом растворении металлов процесс также рассматривается как совокупность сопряженно протекающих реакций катодного восстановления окисли теля и анодного окисления металла
...
Например, после ухода в раствор атомов мышьяка возникает существенное искажение тетраэдрической координации и, как следствие, изменение типа гибридизации орбита
...
ФОРМИРОВАНИЕ В ВАКУУМЕ ГАЗОДИНАМИЧЕСКИХ ПОТОКОВ И МОЛЕКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ В современной микроэлектронике осаждение веществ в вакууме является одним из основных методов препарирования различных тонких и толстых пленок, используемых в качестве элементов микросхем
...
Поток пара в испарителе представляет собой газодинамический поток, двигающийся к выходному отверстию испарителя со скоростью, соизмеримой со скоростью звука
...
Для количественного описания движения пара в испарителе и его рассеяния после прохождения через выходное отверстие используются методы прикладной газодинамики
...
В зависимости от соотношения К — длины свободного пробега молекул в паре и Ь — геометрических размеров сосуда, в котором находится пар, различают два основных режима массо
...
Последнее означает, что условия течения пара одинаковы во всех сечениях цилиндрического испарителя, расположенного между начальным газодинамическим сечением и сечением выходного отверстия испарителя
...
Для количественной характеристики эффективности катодного распыления используют коэффициент катодного распыления равный коли честву атомов материала, выбитых одним падающим ионом
...
Катодное распыление компонентов сложных соединений или сплавов может происходить различным образом благодаря различию относительных коэффициентов распыления
...
Для сплавов и разлагающихся соединений с большим различием в упругостях пара компонентов последнее обстоятельство превращает термическое испарение в фракционную перегонку материала
...
Возможность достижения в препарируемой пленке того же состава, что и в распыляемом материале, делает метод катодного распыления одним из наиболее перспективных способов получения слоев полупроводников и диэлектриков
...
Различия в коэффициентах распыления для разных кристаллографических направлений и плоскостей создают возможность ионного травления, например, твердых сплавов силицидов, карбидов, боридов и т
...
Кристаллизация аморфной сурьмы завершается при толщине Ль соответствующей пересечению жирной кривой, описывающей зависимость длительности кристаллизации от толщины, и прямой линии Оа, соответствующей линейной зависимости толщины пленки
...
Поэтому при повышенной температуре, а также в процессе хранения или эксплуатации в аморфных пленках даже при комнатной температуре возникают и растут островки селена с моноклинной решеткой
...
Первая аморфная модификация легко переходит в моноклинную, а вторая в гексагональную вследствие общности структурных комплексов аморфной и кристаллической фаз
...
Это происходит особенно часто в бинарных и многокомпонентных системах, для которых характерна неограниченная растворимость компонентов в жидком или газообразном и ограниченная
...
Примерами таких процессов может служить распад переохлажденных жидких или пересыщенных твердых растворов, эвтектоидный распад, расстекловьгвание поликомпонентных фаз, окисление, восстановление фаз и другие твердофазные химические процессы
...
К подобным процессам относятся рекристаллизация, отдых, полигонизация, возникновение и изменение текстуры, появление и релаксация макрои микронапряжений, двойникование и т
...
В пленочных материалах, особенно в конденсированных пленках, вследствие больших переохлаждений и пересыщений закономерно появляются неравновесные состояния, благодаря наличию которых пленочный материал находится в активированном состоянии
...
Степень неравновесности и, следовательно, степень активации в конденсированных пленках не уступают, а иногда и превосходят соответственно степень активации, достигаемую облучением материала интенсивными корпускулярными и электро
...
При использовании разных методов термического испарения соединений важное значение имеют также степень диссоциации и изменение состава пара по сравнению с составом шихты
...
Температура подложки является одним из наиболее существенных параметров, так как она не только задает переохлаждение и пересыщение, но от нее зависят также скорости релаксации неравновесных состояний
...
Наличие кислорода существенно влияет на субструктуру, в том числе на размер ОКР, качество границ между блоками, на уровень микронапряжений, а также на стабильность структуры во времени
...
Для тугоплавких материалов характерны интенсивное взаимодействие и более прочная химическая связь с активными компонентами остаточных газов, чем для легкоплавких
...
пары воды, вакуумного масла и других органических и неорганических компонентов остаточных газов, присутствующие в обычном техническом вакууме, могут интенсивно вовлекаться в реакцию с веществом пленки
...
Интенсивное замурйвЫвание различных примесей, прочно связанных с материалом пленки, обеспечивает в этом случае замораживание процессов релаксации и, следовательно, способствует сохранению неравновесного состояния в пленках
...
Накопление и обобщение опыта, связанного с различными видами обработки материалов, оказывающими существенное влияние на свойства и структуру вещества, привело к разработке представлений об активированном состоянии твердого тела
...
Такое состояние возникает в результате интенсивного внешнего воздействия яа твердое тело мощным излучением или потоком нейтральных илн заряженных частиц высоких энергий, нарушающего периодичность кристаллической решетки
...
Вследствие разрушения и диспергирования кристаллической решетки, например, при резании и шлифовке кристаллов кремния на его поверхности возникают аморфизированнын слон толщиной до нескольких сотен нанометров и сильно деформированный слой толщиной до нескольких десятков микрометров
...
При фазовом превращении может возникать активированное состояние вследствие разрыхления решетки и наличия напряжений, неизбежных при перестройке структуры
...
В этом случае происходит разрушение решетки вследствие соударения составляющих ее атомов с быстрыми частицами или вследствие поглощения ими квантов, несущих энергию, превышающую энергию разрушения решетки — например, энергию Е
...
При термическом, фотохимическом или оадиационном разложении соединений также выделяется большая энергия, которая может быть передана кристаллической решетке и способна перевести ее в активированное состояние
...
Из рассмотренных примеров следует, что активированные состояния по своему происхождению, энергетической и структурной характеристике могут быть чрезвычайно разнообразными
...
Поэтому целесообразно классифицировать их не только по происхождению, но также по специфике поведения во времени и пространстве, по структурным признакам н т
...
Прн образовании твердых растворов введение второго компонента способствует смещению атомов от симметричного положения, которое онн занимают в решетках чистых компонентов
...
Рассмотренный пример показывает, что снижение симметрии межатомной связи прн введении в решетку одного металла атомов другого, существенно отлячающнхся от атомов матрицы по размерам, способствует повышению вероятности сохранения активированного состояния н превращению его нз лабильного в метастабнльное прн Г
...
является метастабнльным в широком диапазоне температур, о чем свидетельствует наличие у материалов подобного типа устойчивого стеклообразного состояния
...
Этот метод позволяет осуществлять контроль толщины и распределения конденсата на подложке, достигнуть высокой степени чистоты, а также требуемых физико
...
Недостатком, по сравнению с толстопленочной технологией, является относительно высокая стоимость тонкопленочных систем межсоединений в микросхемах, выпускаемых небольшими партиями
...
Раздельно отражающие области когерентного рассеяния в тонких пленках имеют размеры, близкие к мозаичным блокам в массивных поликристаллах, но подвергнутых сильной деформации
...
Указанная форма субструктурной неравновесности поликристаллических конденсированных пленок создает особую специфику их прочностных и электрофизических свойств
...
Так как ресурс упругих искажений решетки ограничен, возникают две смежные области с несколько различающимися межплоскостными расстояниями вдоль границы их расчленения
...
По характеру субструктуры и поведению пленок при отжиге наблюдается большое различие между пленками меди, полученными при испарении меди с вольфрамовых и танталовых испарителей
...
Свойства пленок никеля, нанесенных из неэкранированных алундовых тиглей, существенно отличаются от свойств пленок, осажденных из экранированных алундовых тиглей автотигельным методом с использованием электронной пушки
...
Знание обсуждавшихся выше явлений в тонких пленках металлов важно также для понимания процессов, развивающихся на начальных стадиях формирования проводящих массивных пленочных материалов
...
Фотолитографическое травление участка пленки, в котором преобладали напряжения одного знака, и подтравливание деформированных участков на границе с подложкой могут вызвать местное отслаивание пленки вдоль границы дорожки и другие нежелательные явления
...
Классификация макронапряжений в пленках металлов Виды макронапрпжений Механизм возникновения Характер Знак Структурные Аннигиляция дефектов Выпадение пор Спекание пор Окисление или адсорбция Охлаждение нли нагревание Остаточные
...
Нижний тонкий порядка нескольких десятков или сотен нанометров слой предназначен для создания адгезии между подложкой и расположенным поверх него толстым
...
Поэтому между поверхностью и золотым электродом необходимо ввести промежуточный слой или многослойную композицию, которые будут препятствовать взаимодействию
...
Надежность хранения информации в первом приближении определяется величиной порогового магнитного поля, при котором начинается движение доменной стенки
...
С другой стороны, субструктура оказывает большое влияние на Нс, Як, распределение Як по углу и амплитуде вдоль проволоки или пленочной матрицы, на наличие в амплитудном распределении Я
...
Следовательно, ОКР уже не является областью идеальной решетки, отделенной от других ОКР стенками дислокаций, а представляет деформированную решетку с полем деформаций вокруг дислокаций
...

Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой

"Сварка-ЛИБ" - Техническая библиотека сварщика | Сварка, термообработка, материалы, металлы и сплавы

admin

Материаловедение в микроэлектронике