Материаловедение в микроэлектронике

Листать книгу

Страницы: ... ... ... ...

скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике

Более высокий коэффициент диффузии вдоль дислокаций и субграниц вызывает появление диффузионных выступов на фронте движения примеси при легировании диффузией
...
поверхности кремния, происходящие при адсорбции газов и паров, окислении, диффузии легирующих примесей или наращивании автоэпитаксиальной пленки, которые подробно рассмотрены в первых семи главах этой книги
...
Однако в современной микроэлектронике все больше проявляется тенденция заменять эти традиционные методы технологии микросхем перспективными методами и приемами электроннои ионно
...
Наряду с фотолитографией, основанной на воздействии света на светочувствительные материалы, применяется электронная литография, в которой пучок света заменяют электронным пучком
...
СОЗДАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ АКТИВИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ПРИ ОБРАБОТКЕ МАТЕРИАЛА ИОННЫМИ ПУЧКАМИ Как известно, в микроэлектронике широкое применение находят ионные, электронные и световые пучки
...
Облучение этими пучками материала переводит его в активированное состояние, которое используется при ионном легировании, в фотолитографии, электронной литографии и других новейших технологических процее
...
Характер упаковки атомов в кристаллическую решетку проявляется также в том, что при передаче импульса от иона к плотному упакованному ряду атомов решетки может произойти смещение значительного участка этого ряда на один или несколько периодов решетки
...
Энергия иона в этом случае рассеивается на малых длинах пробега а и энергию, превышающую Еа, получает большое количество атомов некоторой локальной области кристалла
...
Дефекты, возникшие в процессе движения, рассеяния и остановки фокусонов в монокристаллах, проявляют тенденцию к анизотропному распределению вдоль некоторых избранных направлений
...
Движение первичных иоиов и атомов отдачи происходит в определенных кристаллографических направлениях преимущественно в каналах, образованных из пустот кристаллической решетки
...
Местоположение внедренного атома в решетке определяется рядом обстоятельств, в том числе соотношением атомных ионных или ковалентных радиусов внедренного атома гвА и атома кремния Гд
...
Концентрация примесных атомов, введенных в узлы решетки из разогнанных ионных пучков, может на несколько порядков превышать равновесную растворимость этих же атомов
...
световые и электронные пучки и их воздействие на материалы Выше было показано, что взаимодействие ионных пучков с поверхностью раздела и объемом твердого тела включает большое количество явлений
...
Существенная особенность ионов из ионных пучков состоит в том, что остановившиеся чужеродные ионы становятся примесными центрами, влияющими на электрофизические свойства и после прекращения облучения
...
Вторую функцию ионов — стабильное длительное воздействие на свойства после облучения — ни электроны, ни тем более фотоны, естественно, выполнять не могут
...
Изучение с помощью электронного микроскопа показывает, что в крупных эмульсионных кристаллах выделение фотолитического серебра происходит вблизи середин ребер кристалла
...
Энергия, выделяющаяся при поглощении кванта, если она не расходуется на отрыв валентного электрона, может передаваться соседним атомам или расходоваться в различных превращениях, имеющих физическую и химическую природу
...
Поскольку каждая молекула находится в окружении других молекул, для устойчивого существования радикалов после обрыва связи недостаточно кванта с энергией, равной пороговому значению разрыва связи Ёп
...
набор участков пленки фоторезиста, устойчивых к действию растворителя и соответствующих по форме непрозрачным участкам фотошаблона, может быть получено из растворов на основе ортохинондиазидов и полимерного фенолформальдегида и других полимерных компонентов, которые усиливают стойкость фоторезиста при травлении
...
Относительное увеличение растворимости при засветке достигается за счет фотохимического разложения ортохинондиазида по формуле О В результате этой фотохимической реакции образуется карбоновая кислота, вследствие чего растворимость повышается
...
При облучении электронами твердых веществ энергия, передаваемая электроном молекуле сложного соединения, достаточна для возбуждения и ионизации этой молекулы
...
Образование на подложке металлического осадка, имеющего рисунок, соответствующий рисунку участков, облученных электронным пучком, имеет существенное значение для электронной литографии
...
С помощью радиолиза паров карбонилов вольфрама, молибдена, рения, хрома и других металлов могут быть получены тонкие пленки этих металлов заданной конфигурации
...
Рассмотренные явления воздействия света и электронных пучков в настоящее время уже получили широкое применение в микроэлектронике, например при изготовлении фотооригиналов из фотопластинок с бромосеребряной фотоэмульсией и при изготовлении и использовании фоторезистов различных типов
...
Еще большие возможности заложены в применении электронных пучков, которые в отличие от световых легко поддаются управляющим воздействиям разнообразного вида
...
Рассмотренные явления воздействия света и электронных пучков в настоящее время уже получили широкое применение в микроэлектронике, например при изготовлении фотооригиналов из фотопластинок с бромосеребряной фотоэмульсией и при изготовлении и использовании фоторезистов различных типов
...
Еще большие возможности заложены в применении электронных пучков, которые в отличие от световых легко поддаются управляющим воздействиям разнообразного вида
...

Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой

"Сварка-ЛИБ" - Техническая библиотека сварщика | Сварка, термообработка, материалы, металлы и сплавы

admin

Материаловедение в микроэлектронике