Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Листать книгу

Страницы: ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

скачать книгу Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Таким образом, очевидно, что в данном диапазоне скоростей может осуществляться захват примесей, характеризуемых малыми коэффициентами твердофазной диффузии, тогда как примеси с большими коэффициентами диффузии сегрегируют к поверхностям образцов
...
Таким образом, очевидно, что в данном диапазоне скоростей может осуществляться захват примесей, характеризуемых малыми коэффициентами твердофазной диффузии, тогда как примеси с большими коэффициентами диффузии сегрегируют к поверхностям образцов
...
В приповерхностной зоне, где общая концентрация примеси выше, чем концентрация атомов замещения, данное избыточное количество примеси размещается ио границам хорошо развитой ячеистой структуры
...
В приповерхностной зоне, где общая концентрация примеси выше, чем концентрация атомов замещения, данное избыточное количество примеси размещается ио границам хорошо развитой ячеистой структуры
...
При быстром затвердевании новые слои атомов добавляются к поверхности кристалла с такой большой скоростью, что атомы примеси не успевают уйти из формирующейся
...
Сравнение максимальных концентраций примеси в областях твердой и жидкой фаз Равновесные предельные значения растворимости могут быть значительно превышены при низкотемпературной эпитаксиальной перекристаллизации твердой фазы
...
Такое сравнение показывает, что предельные растворимости примеси, которые могут быть достигнуты в двух видах перекристаллизации, различаются незначительно, хотя временные масштабы процессов отличаются на много порядков
...
Вследствие этого даже в твердой фазе можно таким образом выбрать температурный диапазон, чтобы время пребывания примеси на границе раздела было больше, чем время перекристаллизации монослоя, и происходил захват
...
При более высоких температурах отжига, однако, будет протекать выпадение количества примеси, избыточного по отношению к пределу растворимости ее в равновесных условиях для данной температуры
...
Сравнение максимальных концентраций примеси в областях твердой и жидкой фаз Равновесные предельные значения растворимости могут быть значительно превышены при низкотемпературной эпитаксиальной перекристаллизации твердой фазы
...
Такое сравнение показывает, что предельные растворимости примеси, которые могут быть достигнуты в двух видах перекристаллизации, различаются незначительно, хотя временные масштабы процессов отличаются на много порядков
...
Вследствие этого даже в твердой фазе можно таким образом выбрать температурный диапазон, чтобы время пребывания примеси на границе раздела было больше, чем время перекристаллизации монослоя, и происходил захват
...
При более высоких температурах отжига, однако, будет протекать выпадение количества примеси, избыточного по отношению к пределу растворимости ее в равновесных условиях для данной температуры
...
Процессы, ограничивающие растворимость примесей замещения Максимальные растворимости примесей замещения, которые могут быть достигнуты при лазерном отжиге кремния после его ионной имплантации, ограничиваются тремя процессами
...
При образовании бором узлов замещения в решетке кремния при лазерном отжиге решетка подвергается одномерному сокращению в зоне имплантации, которое протекает в направлении, нормальном к поверхности
...
Сокращение происходит только в одном направлении по той причине, что имеет место притяжение приповерхностного слоя к нижележащим кристаллическим плоскостям
...
Чтобы увеличить концентрацию атомов замещения бора при лазерном отжиге, необходимо одновременно вводить примесь, которая вызывает расширение кристаллической решетки кремния
...
Вторым процессом, ограничивающим растворимость примесей замещения при лазерном отжиге, является нестабильность границы раздела фаз, которая развивается при перекристаллизации и приводит к побочной сегрегации примеси, отражающейся от границы, и к формированию упорядоченных ячеистых структур в приповерхностном слое
...
Данный процесс является доминирующим в случае введения таких примесей в кремний, как сурьма, галлий, индий и висмут, а примеры, его иллюстрирующие, приведены на рис
...
Нестабильность границы раздела будет наблюдаться только тогда, когда коэффициент распределения меньше единицы и Когда высокая концентрация отражаемых от границы атомов примеси
...
В случае, когда эта концентрация низка, межфазная граница Остается стабильной при перекристаллизации и отражающиеся атомы примеси собираются в приповерхностной зоне
...
На этом графике гиббсовской свободной энергии, представленной в зависимости от состава при заданной температуре, линии солидуса и ликвидуса пересекаются в одной точке, являющейся верхним пределом концентрации примеси в твердой фазе
...
Данная предельная концентрация может реализоваться при любом составе жидкой фазы, если не требуется выделения зародышей кремния в процессе лазерного отжига
...
Геометрическим местом предельных точек на равновесной фазовой диаграмме при различных температурах будет кривая Го, ограничивающая максимальные концентрации примеси в твердой фазе, которая образуется из жидкости при любой температуре, даже с бесконечной скоростью лерекристаллизации
...
Эти значения еще ограничиваются нестабильностью границы раздела при перекристаллизации, но они указывают на то, что при больших скоростях кристаллизации наступление нестабильности может задерживаться до тех пор, пока на границе раздела не накопится примесь в большей концентраций, как это следовало из обсуждения, в п
...
Это свидетельствует о возможном достижении термодинамического предела растворимости мышьяка в кремнии, что вполне вероятно, так как определенное значение
...
Уравнение соответствует предположению, что можно построить кинетическую фазовую диаграмму, соответствующую высоким скоростям перекристаллизации, достигаемым при лазерном отжиге, простым смещением равновесной линии солидуса в область более высоких концентраций примеси, соответ
...
Эти значения еще ограничиваются нестабильностью границы раздела при перекристаллизации, но они указывают на то, что при больших скоростях кристаллизации наступление нестабильности может задерживаться до тех пор, пока на границе раздела не накопится примесь в большей концентраций, как это следовало из обсуждения, в п
...
Прогнозирование максимальных растворимостей примесей замещения согласно такой модели находится в хорошем соответствии с измеренными величинами при различных скоростях перекристаллизации
...
Концентрационное переохлаждение и выделение вторичных фаз Как отмечено выше в этой главе, существуют достаточно определенные пределы концентраций малорастворимых примесей, которые могут быть захвачены в узлах замещения решетки кремния при лазерном отжиге
...
В начале настоящего обсуждения важно отметить различие между теми примесями, которые проявляют достаточную растворимость в переходном проплавленном слое и теми, которые обнаруживают лишь слабую растворимость в жидком кремнии
...
Наличие избыточно высоких концентраций имплантированных ионов примесей, которые проявляют существенную растворимость в расплавленном кремнии, может приводить к образованию очень характерных ячеистых картин микросегрегации при лазерном отжиге
...
Более того, тщательное измерение стенок ячеек и регулирование условий отжига позволили показать применимость теории морфологической стабильности МаллиЕса и Секерки
...
Более того, тщательное измерение стенок ячеек и регулирование условий отжига позволили показать применимость теории морфологической стабильности МаллиЕса и Секерки
...
Последняя кривая, безусловно, дает лучшую аппроксимацию, и экспериментальные данные, отложенные на рисунке точками, показывают, насколько хорошо теория соответствует опыту
...
в некоторых случаях примеси, вводимые в кремний, обладают малой растворимостью как в твердой, так и в жидкой фазах, и поэтому при лазерном отжиге могут наблюдаться иные сегрегационные процессы
...
Действительно, большая доля атомов углерода занимает узлы замещения в кристаллической решетке кремния в результате захвата, о чем свидетельствует изменение формы отдельных пиков ИК
...
Выделение вторичной фазы из расплава подавляется ростом скорости перекристаллизации, так как интенсификация захвата снижает концентрацию примеси в расплаве и одновременно уменьшает длительность пребывания в расплавленном состоянии
...
Когда такой образец подвергался лазерному отжигу, было обнаружено, что дефекты и выделившаяся вторичная фаза почти полностью переходили в зону временного проплавлення
...
Выводы по кристаллизации Лазерный отжиг имплантированного ионами кремния дает возможность фундаментальных исследований неравновесных процессов кристаллизации
...
Уровень понимания, который достигнут в отношении этих необычных условий кристаллизации, впечатляет, тем более, что первые исследования были выполнены всего несколько лег назад
...
Такие достижения были получены в результате того, что можно было использовать два дополняющих друг друга неравновесных метода обработки — ионную имплантацию и импульсный лазерный отжиг, обеспечивая выполнение экспериментов в контролируемых условиях
...
Выводы по кристаллизации Лазерный отжиг имплантированного ионами кремния дает возможность фундаментальных исследований неравновесных процессов кристаллизации
...
Уровень понимания, который достигнут в отношении этих необычных условий кристаллизации, впечатляет, тем более, что первые исследования были выполнены всего несколько лег назад
...
Такие достижения были получены в результате того, что можно было использовать два дополняющих друг друга неравновесных метода обработки — ионную имплантацию и импульсный лазерный отжиг, обеспечивая выполнение экспериментов в контролируемых условиях
...
Чрезвычайно высокие скорости охлаждения и неравновесная природа процесса эпитаксиальной перекристаллизации при лазерном отжиге дают основания предполагать, что свойства поверхностей
...
В спектроскопических исследованиях использовались в качестве падающих частиц электроны или фотоны, а детектируемыми частицами во всех случаях были электроны
...
Очистка поверхности кремния Получение атомарно чистых поверхностей в СВВ имеет принципиальное значение в фундаментальных исследованиях физических и химических свойств поверхностей
...
Оно также очень важно в приборостроении, поскольку загрязнения, внесенные в процессе изготовления или применения, могут серьезно ухудшить характеристики прибора
...
Недавними работами показано, что самым эффективным и быстрым путем получения атомарно чистой поверхности кремния является импульсное лазерное облучение в СВВ
...
Очистка поверхности кремния Получение атомарно чистых поверхностей в СВВ имеет принципиальное значение в фундаментальных исследованиях физических и химических свойств поверхностей
...
Оно также очень важно в приборостроении, поскольку загрязнения, внесенные в процессе изготовления или применения, могут серьезно ухудшить характеристики прибора
...
Недавними работами показано, что самым эффективным и быстрым путем получения атомарно чистой поверхности кремния является импульсное лазерное облучение в СВВ
...
Полное и равномерное распределение па слою с толндиной, равной глубине проникновения фронта проплавлення, приведет к снижению концентрации на поверхности до
...
Концентрация кислорода на поверхности и в приповерхностном слое до и после импульсного лазерного отжига недавно была исследована методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерного резонанса по реакции
...
Отсутствие заметной диффузии кислорода в кремний было объяснено, исходя из того факта, что скорость растворения окисла в кремнии составляет, по данным Сари, полученным в
...
Чтобы свести к минимуму возможность перераспределения таких загрязнений, как кислород и углерод, наиболее эффективно вначале произвести катодное распыление поверхности при умеренных режимах в целях существенного удаления количества загрязнений, а затем лазерным отжигом получить атомарно
...
Полное и равномерное распределение па слою с толндиной, равной глубине проникновения фронта проплавлення, приведет к снижению концентрации на поверхности до
...
Концентрация кислорода на поверхности и в приповерхностном слое до и после импульсного лазерного отжига недавно была исследована методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерного резонанса по реакции
...
Четкие дифрактограммы свидетельствуют о том, что кристаллический порядок после окончания жидкофазной эпитаксиальной перекристаллизации не нарушается до самых внешних монослоев
...
Четкие дифрактограммы свидетельствуют о том, что кристаллический порядок после окончания жидкофазной эпитаксиальной перекристаллизации не нарушается до самых внешних монослоев
...
Четкие дифрактограммы свидетельствуют о том, что кристаллический порядок после окончания жидкофазной эпитаксиальной перекристаллизации не нарушается до самых внешних монослоев
...
Результаты указывают на то, что атомы в наружных слоях имеют при лазерном отжиге достаточно времени, чтобы перестроиться во вновь упорядоченную упаковку, с которой были получены
...
Результаты указывают на то, что атомы в наружных слоях имеют при лазерном отжиге достаточно времени, чтобы перестроиться во вновь упорядоченную упаковку, с которой были получены
...
Появление дифракционных пятен седьмого порядка, свидетельствующих о перестройке поверхности, наблюдается или после отжига облученной лазером поверхности при температурах, более
...
Одним из путей исследования данного вопроса может служить измерение интенсивностей дифрагированных электронных пучков в зависимости от энергии падающих электронов
...
Экспериментально определенные профили должны быть сравнены с данными, полученными из расчетов полностью преобразованной динамической ДМЭ, выполненных для различных структурных моделей геометрической упаковки наружных моносло
...
Появление дифракционных пятен седьмого порядка, свидетельствующих о перестройке поверхности, наблюдается или после отжига облученной лазером поверхности при температурах, более
...
Интенсивности дифрагированных электронных пучков определялись в зависимости от энергии электронов с использованием цилиндра Фарадея, работавшего как анализатор замедляющего поля
...
Интенсивности дифрагированных электронных пучков определялись в зависимости от энергии электронов с использованием цилиндра Фарадея, работавшего как анализатор замедляющего поля
...
Хотя данные ДМЭ, приведенные выше, подтверждают высокую вероятность структурной модели облученной лазером поверхности, они могут быть отнесены только к упорядоченным структурам
...
Теоретические расчеты в одноэлектронном приближении зонной структуры предсказывают, что такая поверхность должна быть металлической, с полузаполненной зоной состояний разорванных связей при энергии Ферми Егу и должна очень сильно отличаться от наблюдаемой при отжиге поверхности
...
Были выполнены фотоэмиссионные исследования с разрешением и с интегрированием по углам для валентных зон поверхностных состояний и для поверхностных сдвигов ядерных уровней, у отожженных лазером поверхностей
...
Хотя эти признаки поверхностного состояния соответствуют различным угловым распределениям эмиссии, результаты, наблюдаемые у обеих поверхностей, одинаковы
...
Он свидетельствует о четко выраженном гексагональном угловом распределении эмиссии, которое достигает максимума на границе зоны Бриллюэна элементарной ячейки поверхности
...
Оба поверхностных спектра имеют ядерные уровни на высокоэнергетической стороне линии, соответствующей объему, расположенные примерно в одинаковом положении
...
Одно из возможных объяснений указанных противоречий — это нечувствительность метода ДМЭ к нарушению дальнего порядка, если оно имеет место на поверхности
...
В них не было обнаружено занятых состояний в запрещенной зоне в согласии с описанными выше предположениями, в одной из этих работ на основе наблюдения слабых полуупорядоченных пучков и фотоэмиссионных спектров, подобных наблюдаемым для
...
Если это справедливо, то лазерный отжиг при различных режимах может способствовать пониманию движущих причин реконструкций, наблюдаемых при использовании обычных методов обработки
...
Электронные свойства поверхности высоколегированного кремния Выполненными ранее исследованиями показано, что при имплантации бора и мышьяка в кремний они занимают в нем узлы замещения после лазерного отжига, даже если концентрация значительно выше порога равновесной растворимости
...
Указанные результаты свидетельствуют о потенциальных возможностях лазерного отжига в СВВ как для изучения поверхности, так и для практических приложений
...
Для более полного понимания этого метода обработки поверхности и определения его возможностей требуются, однако, дополнительные исследования поверхностных свойств материалов, облученных лазером, а также их изменений в зависимости от режимов отжига
...
Введение Ионная имплантация в кристаллический кремний приводит, как правило, к образованию аморфного метастабильного приповерхностного слоя, претерпевающего перекристаллизацию при соответствующей термообработке
...
Процесс перекристаллизации происходит обычно эпитаксиально на нижележащей основе кристаллического кремния, в зависимости от режима термообработки перекристаллизация происходит в жидкой либо в твердой фазе, в гл
...
При таких условиях отжиг также может приводить к существенным особенностям движения примесей и эффектов пересыщения, хотя скорость перекристаллизации может на десять порядков
...
Введение Ионная имплантация в кристаллический кремний приводит, как правило, к образованию аморфного метастабильного приповерхностного слоя, претерпевающего перекристаллизацию при соответствующей термообработке
...
Процесс перекристаллизации происходит обычно эпитаксиально на нижележащей основе кристаллического кремния, в зависимости от режима термообработки перекристаллизация происходит в жидкой либо в твердой фазе, в гл
...
Обзор экспериментальных результатов Кинетика ТФЭР определяется несколькими параметрами, включая ориентацию нижележащей подложки, тип и концентрацию имплантированной примеси
...
Сегрегация примесных атомов и образование выделений при высоких концентрациях легирующей примеси также оказывают влияние на кинетику роста и кристаллическую структуру
...

Расчеты тепловых процессов при сварке
Сборка и сварка корпусов судов
Технологія конструкційних матеріалів і матеріалознавство: Практикум: Навч.посібник
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Металловедение пайки
Теорія зварювальних процесів. Дослідження фізико-хімічних і металургійних процесів та здатності металів до зварювання
Справочник по сварке цветных металлов

"Сварка-ЛИБ" - Техническая библиотека сварщика | Сварка, термообработка, материалы, металлы и сплавы

admin

Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками