Новые материалы




Листать книгу
Листать
Страницы: 1 ... 12 ... 36 ... 60 ... 84 ... 108 ... 132 ... 156 ... 180 ... 204 ... 228 ... 252 ... 276 ... 300 ... 324 ... 348 ... 372 ... 396 ... 420 ... 444 ... 468 ... 492 ... 516 ... 540 ... 564 ... 588 ... 612 ... 636 ... 660 ... 684 ... 708 ... 732 ... 736
480 481 482 483 484 485 486 487 488 489 490 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 502 503


скачать книгу Новые материалы




Когда состав покрытия становится более сложным, размер кристаллитов может уменьшаться до нескольких нанометров. Расширяется и взаимная растворимость элементов в фазах внедрения. В частности, показано, что фазы TiN, TiB и TiB2 в многокомпонентных пленках на основе Ti—В—N могут растворять дополнительное количество соответственно бора и азо­та, а фаза TiN в пленках Ti—Ni—N может растворять некоторое количе­ство никеля [2, 7].
...
Структура низкоразмерных объектов не может быть определена толь­ко на основе метода рентгеновской дифракции. Известно, что наност-руктурные многокомпонентные пленки имеют очень широкие дифрак­ционные максимумы низкой интенсивности, что обычно объясняется аморфным состоянием вещества, хотя кристаллическая природа нанос­труктурных пленок может быть подтверждена другими методами. Поэто­му для характеристики низкоразмерных объектов рекомендуется исполь­зование комбинированного подхода с применением различных методов, таких как рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Рамановская спектроскопия, расширенные измерения поглощения рентгеновских лу­чей тонкой структурой (EXAFS), электронная микроскопия высокого разрешения и спектроскопия энергетических потерь электронов.
...
Для понимания свойств наноструктурных пленок необходимо также знание атомной структуры границ зерен. Эта тема была предметом интенсивной дискуссии на протяжении последних лет. Интерес к этой проблеме дополнительно возрастает еще и потому, что значительное количество атомов в нанокристаллических материалах расположено на границах зерен. Отсюда возникает гипотеза о возможности существова­ния нового состояния вещества. Согласно расчетам Глейтера с сотруд­никами, выполненным с помощью методов молекулярной термодинами­ки, микроструктура нанокристаллических материалов состоит из крис­таллических зерен и аморфных межзеренных прослоек однородной толщины. Отсюда авторы пришли к заключению, что нанокристалли-ческие материалы со случайной ориентировкой зерен содержат только высокоэнергетические границы раздела. В противоположность этому ут­верждению, другие исследователи установили, что границы раздела не являются неупорядоченными. Интересно также отметить, что теорети­ческая концепция конструирования нанокристаллических сверхтвердых материалов основана на предположении, что тонкие аморфные прослой­ки вокруг нанокристаллитов препятствуют образованию и размножению дислокаций [6]. Поэтому часто авторы приходят к умозрительному за­ключению, что нанокристаллиты полностью окружены тонкими аморф-
...
ными прослойками. В противоположность этим результатам было пока­зано, что границы раздела в многокомпонентных пленках имеют как упорядоченные, так и неупорядоченные участки, а аморфная фаза об­разуется преимущественно в виде отдельных областей, а не в виде тон­ких прослоек однородной толщины по границам зерен [2, 8].
...
Разработка технологии нанесения сверхтвердых наноструктурных по­крытий методами физического осаждения невозможна без понимания причин их высоких эксплуатационных характеристик. Обычно при изу­чении тонких пленок определяют следующие физико-механические харак­теристики: твердость, износо- и коррозионную стойкость, адгезию, жа­ростойкость, стойкость к высокотемпературному окислению, остаточные напряжения, упругие свойства (модуль Юнга и величину упругого вос­становления), вязкость, проводимость, морфологию поверхности, а также срок службы инструмента с нанесенным на него защитным покрытием.
...
Оценка и интерпретация трибологических свойств тонких пленок является довольно сложной задачей. Наиболее часто проводится оценка сопротивления материала царапанью, абразивному износу, эро­зионному изнашиванию, трению скольжения, износу при роликовом контакте и также ударному износу. Было показано, что трибологичес­кие характеристики материала во многом зависят от типа износа. Име­ющиеся в литературе данные являются довольно противоречивыми и не всегда соответствуют поведению материала при его использовании в промышленности. В классической теории износа твердость материала рассматривается как один из основных параметров, определяющих из­носостойкость. Многие твердые материалы также имеют высокий мо­дуль упругости; тем не менее известно, что ряд полимеров обладает высокой износостойкостью, несмотря на низкий модуль упругости. В качестве параметра, дающего возможность оценить износостойкость материала, было предложено использовать величину отношения твердо­сти к модулю упругости (Н/Е),
...
зумевает высокую твердость) и низким модулем упругости. Максималь­ная твердость будет способствовать увеличению стойкости материала к пластической деформации, но не является определяющим фактором для улучшения вязкости разрушения. Поэтому добиться увеличения износо­стойкости материала можно путем одновременного увеличения твердо­сти и снижения модуля упругости. Наиболее перспективными покры­тиями с точки зрения трибологии являются алмазные покрытия, куби­ческий нитрид бора c-BN, C3N4, а также различные многослойные, многокомпонентные и наноструктурные покрытия.
...
Первыми коммерчески используемыми твердыми покрытиями были TiC и TiN. Их трибологические характеристики во многом зависят от состава, морфологии, текстуры и других характеристик. При введении третьего компонента (например, С или А1) срок службы режущего ин­струмента возрастал, причем эффективность покрытия на основе Ti(Al,N) была тем больше, чем выше была скорость резания. Дальней­ший прогресс в конструировании трибологических покрытий связан с разработкой новых многокомпонентных (Ti—Al—V—С—N, Ti—W—С—N, Ti-Al-Cr-N и др.), многослойных (TiN/TiB2, TiC/TiB2, TiN/VN, TiN/NbN, CrN/NbN и др.) и наноструктурных (Ti-B-N, Ti—Si—N, Ti-Si-C-N, Ti—Al—B—N и др.) систем. Так, пленки Ti—Al—В—N хорошо себя заре­комендовали при трении скольжения, тогда как пленки Ti—В—N пока­зали высокую стойкость к ударному износу. Пленки Ti—Al—В—N также имеют низкую скорость износа при проведении испытаний в условиях сухого трения с применением диска и шарика из твердого сплава в ка­честве контртела, что связывалось с присутствием фазы BN. Вопреки ожиданиям, пленки Ti—В—N и TiN/7z-BN/TiB2 не обладают самосмазы­вающими свойствами, а износостойкость пленок Ti—В—N, несмотря на их высокую твердость, была сопоставима с пленками TiN и Ti(Al,N). В то же время скорость сухого износа многокомпонентных тонких пле­нок на основе Ti-B-N, Ti-Si-C-N и Ti—Si—В—N была ниже, чем у пленок-эталонов TiN, Ti—С—N и Ti—А1—С—N, полученных в аналогич­ных условиях. Отмечалась низкая скорость износа (на порядок величи­ны ниже) пленок TiN и CrN в сравнении с TIA1N и TiCN. Отметим, что в литературе практически отсутствует информация о соотношении между трибологическими характеристиками покрытия и масштабом его микроструктуры. Поэтому представляется крайне важным и интересным исследование наноструктурных тонких пленок, которые могут сочетать в себе высокие механические свойства с возможностью регулировки фа­зового состава.
...
Для оценки свойств пленок часто используют такую характеристи­ку, как продолжительность работы конкретной детали или инструмента с нанесенным на него защитным покрытием. Так, продолжительность работы сверл возрастает соответственно при нанесении на них покры­тий TiN, TiCN и TiAlN. Покрытия TiAlN+MoS2 также имеют максималь­ную продолжительность работы при металлообработке в сравнении с Ti(C,N), (Ti,Al)N и TiN+TiAlN. Однако следует отметить, что, хотя про­должительность жизни конкретного покрытия отражает реальное пове­дение материала в конкретных условиях его эксплуатации, она является интегральной характеристикой, зависящей от многих факторов. ,;,
...
В последние годы значительно повысились требования к обо­рудованию и инструменту, работающему в условиях контактной устало­сти и истирания (резка, штамповка, волочение и др.). Для увеличения их сроков службы обычно используются твердые износостойкие покры­тия на основе TiC, TiN и TiAlN. При механической обработке всухую защитные покрытия должны обладать стойкостью к высоким темпера­турам, низкой теплопроводностью для защиты подложки от перегрева, химической инертностью и низким коэффициентом трения для легкого удаления стружки из зоны обработки. Для увеличения эффективности и производительности механической обработки материалов на рабочей поверхности оборудования и инструмента создают прочный износостой­кий слой, позволяющий увеличить усталостную прочность, коррозион­ную стойкость и износостойкость. Идеальная твердая смазка должна обладать низким коэффициентом трения и высокой износостойкостью. Этим требованиям соответствуют халькогениды MoS2, MoSe2, WSe2. Их низкий коэффициент трения связан с 21)-слоистой структурой, которая обеспечивает легкое скольжение по базисным плоскостям. Особый ин­терес вызывают функционально-градиентные покрытия, состоящие из внутреннего твердого слоя, обеспечивающего низкое давление на повер­хность со стороны трущейся пары, стойкость к истиранию и царапа­нью, и внешнего самосмазывающегося слоя, обеспечивающего низкий коэффициент трения. Самосмазывающиеся покрытия нашли широкое применение как в России, так и за рубежом в узлах трения различных космических аппаратов. Низкая стойкость к окислению на воздухе ог­раничивает применение этих материалов для режущего и обрабатываю­щего инструмента. Для преодоления этих трудностей Гисслер с сотруд-
...
никами использовали альтернативный подход, состоящий в осаждении твердых многофазных покрытий с низким коэффициентом трения на основе TiB2—MoS2. Покрытия обладали твердостью 20 ГПа и коэффи­циентом трения, равным 0,05.
...
Исследование устойчивости наноструктур при высокотемпера­турном отпуске пленок Ti—Si—N и Ti—Al—Si—N показало, что темпера­тура рекристаллизации увеличивается с 850 °С при размере нанокристал-лов d > 5 нм до 1150°С при d < 3 нм, что связывалось со стабилизацией границ раздела в результате сегрегации. Пленки Ti—Si—N также облада­ют повышенной стойкостью к высокотемпературному окислению по сравнению с TiC, TiN и Ti0 5А10 25Zr0 25N и сопоставимой с Ti0 5А10 5N. Пленки составов Ti—Si—В—N и Ti—Si—С—N показали улучшенную кор­розионную стойкость по сравнению с TiN при 800 °С. Известно поло­жительное влияние А1 на устойчивость покрытий к высокотемператур­ному окислению. При низких температурах отпуска благодаря присут­ствию алюминия кислород растворяется в ГЦК решетке (Ti,Al)]_;c(C,N);c, в то время как на поверхности покрытия TiN образуется слой оксида толщиной 800 нм. При более высоких температурах А1 диффундирует к поверхности покрытия, что приводит к образованию защитного слоя А1203, препятствующего дальнейшему окислению.
...
О коррозионной стойкости тонких пленок обычно судят на основе построения потенциодинамических поляризационных кривых и по ско­рости коррозии. Сравнительные данные по коррозионно-электрохими-ческому поведению компактных материалов и аналогичных по составу тонких пленок со средним размером кристаллитов 2...5 нм указывают на существенное понижение скорости коррозии пленок (в 10—1000 раз), что связано с их наноструктурным состоянием. Кроме того, коррозия пле­нок на основе TiC—Fe—Si—Мо имеет ярко выраженный селективный характер. Преимущественное растворение менее стойкого компонента, прежде всего железа, приводило к обогащению поверхности кремнием и образованию защитной пленки Si02. Отметим, что сравнение корро­зионных свойств различных покрытий затруднено в связи с различны­ми условиями проведения испытаний. К общим рекомендациям можно отнести увеличение толщины покрытий, уменьшение шероховатости поверхности, получение плотной структуры с отсутствием пор и микро-
...
отверстий. Также следует помнить, что конкретный материал не всегда обладает всем набором высоких характеристик, поэтому выбор состава должен производиться индивидуально для конкретных применений.
...
Разработка и синтез наноструктурных тонких пленок для био­медицины становится одной из приоритетных задач нового тысячелетия. К наиболее перспективным изделиям, в первую очередь, относятся бак-териостатические имплантанты с покрытиями (зонды, катетеры, дренаж­ные трубки), медицинские инструменты с бактериостатическими покры­тиями, медицинские контактные линзы, полимерные медицинские из­делия с покрытиями (зонды для питания, искусственного дыхания, диагностики и т. д.). Биоматериалы должны обладать хорошими физи­ческими, химическими и биологическими свойствами: высокой адгези­ей покрытия к подложке, высокими механическими характеристиками, упругостью, химической стойкостью, антибактериальной активностью, биосовместимостью и отсутствием токсичности. Морфология и шерохо­ватость поверхности тонких пленок, осажденных на имплантируемые материалы, оказывают значительное влияние на адгезивность живых тка­ней, их ориентацию и направление миграции клеток [9]. Биоматериа­лы, катетеры, имплантаты и т. д. не должны оказывать цитотоксичного воздействия на окружающие клетки и вызывать отторжение или аллер­гическую реакцию. Поверхность имплантированных материалов должна обеспечивать хорошую адгезию с клетками, обеспечивая крепкое сцеп­ление имплантанта и живых тканей. Наоборот, адгезия инструмента для офтальмологии и кардио-сосудистой хирургии должна быть низкой. По­верхность имплантированных материалов должна быть устойчивой к влиянию биологических жидкостей, например желудочного сока, а так­же к воздействию механических деформаций. Также надо отметить, что свойства биоматериалов не должны изменяться в процессе их стерили­зации любым из известных методов (химическая, ультрафиолетовая, или радиационная стерилизация).
...
Развитие ионно-плазменной техники и технологии явилось толчком к созданию новых углеродных пленочных материалов [10]. Эти матери­алы обладают следующими характеристиками:
...
— являются диффузионным барьером для биологических сред, по­скольку углерод имеет самый малый размер иона; обладают высокой адгезией к материалу основы;
...
— позволяют обеспечить заданные медико-биологические характерис­тики материалов: адгезивность для клеток и микроорганизмов, антибак­териальную активность, адсорбцию белков и другие гемосовместимые свойства.
...
Углеродные пленки являются перспективными материалами в каче­стве изделий для медицины: зонды для искусственного питания и ды­хания, урологические катетеры, дренажные трубки для длительной служ­бы внутри человеческого тела, искусственные органы и их компоненты и др. Углеродные пленки могут быть либо однофазными (алмаз, фа-фит, карбин, фуллерен) или многофазными, а также однослойными и многослойными. Взаимодействие покрытия с окружающей биосредой зависит от характеристик поверхности, таких как химический состав, структура и заряд поверхности. Варьируя методы и условия формирова­ния углеродсодержащих пленок, можно в широких пределах изменять свойства поверхности изделий.
...
Различные твердые покрытия, например TiN, используются для уве­личения износостойкости имплантантов. Покрытия на основе оксида олова применяются в тех случаях, когда основными требованиями яв­ляются хорошая адгезия к тканям и биосовместимость. Покрытия на ос­нове оксидов титана показали лучшую совместимость с кровью, чем тра­диционно используемые материалы для искусственных клапанов сердца на основе низкотемпературного изотропного пиролитического углерода.
...
Для эффективного нагрева или охлаждения нужны материа­лы, обладающие высокой теплопроводностью и низким коэффициентом термического расширения. Основной областью применения данных ма­териалов является микроэлектроника, которая выдвигает дополнительное требование низкой плотности материалов с целью уменьшения массы. Многокомпонентные пленки находят широкое применение не только как теплопроводящие материалы, но и в качестве соединяющих слоев по границам раздела с целью улучшения термического контакта. К тепло-проводящим материалам относятся металлы (алюминий, медь, золото и др.), углерод, алмаз, графит и различные композиты типа металл—мат­рица, углерод—матрица или керамика—матрица. Ко второй группе мате-
...
Ниобат и танталат лития являются важными материалами для электроники, акустики и оптики, так как они обладают превосходными ферроэлектрическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и оп­тическими свойствами. Поэтому их получение в виде равномерных тон­ких пленок, имеющих хорошую морфологию поверхности и кристаллич­ность, на подложках с низким индексом отражения и высокой скорос­тью распространения акустических волн является крайне актуальной задачей.
...
Эпитаксиальные пленки ниобата и танталата лития (LiNb03 и LiTa03) могут осаждаться различными методами, в том числе методом молекулярной лучевой эпитаксии, химическим осаждением, металлоор-ганическим химическим осаждением, ионным плакированием, золь-гель методом, в том числе с применением полимерного исходного раствора, осаждением с помощью эксимерного и импульсного лазера, а также маг-нетронным распылением. У лучших пленок LiNb03 и LiTa03, которые удалось получить, величина оптических потерь не превосходила 1 дБ/см, а полуширина линии (0001) рентгеновского спектра и среднеквадратич­ное значение шероховатости поверхности соответственно составляли 0,04° и 1,5 нм.
...
Технология тонких пленок находит все более широкое при­менение в микроэлектронике при производстве гибридных интегральных схем. Резистивные слои являются настолько чувствительными к микро­структуре, что едва заметные рекристаллизационные процессы в пленке приводят к существенным изменениям термического коэффициента со­противления сс и временной стабильности резистора под нагрузкой. Из­вестно, что электрофизические свойства пленок во многом обусловлены влиянием размерного эффекта. Так, величина электросопротивления на­ноструктурных пленок Ti—В—N оказывается на порядок выше, а его рост происходит интенсивнее, чем у равновесных поли- и монокристалличес­ких образцов, что связывается с рассеянием носителей на границах кри­сталлитов, примесях и дефектах. В то же время термический коэффици-
...
ент сопротивления (ТКС) пленок в 5—10 раз меньше, чем у соответству­ющих объемных равновесных образцов. Были получены наноструктурные пленки Ti—С—В с экстремально малым КТС, равным -2х10~5 К-1, при необратимом изменении сопротивления за 1000 ч работы под нагрузкой 1 Вт/см2 не более 0,2 %. Также было показано, что чем меньше масш­таб структуры, тем выше термическая стабильность пленки. Оптималь­ными электрофизическими свойствами обладали пленки, состоящие из кристаллитов размером 2 нм, внедренных в аморфную матрицу. Пленки Ti—Si—N показали свою эффективность в качестве диффузионных барь­ерных слоев между Si и А1 или Си. Полученные пленки являются либо полностью аморфными, либо содержали нанокристаллиты TiN, внедрен­ные в аморфную матрицу. По аналогии с ранее полученными результа­тами было установлено, что термическая обработка в вакууме приводит к понижению электросопротивления.
...
В данной области применения наноструктурных покрытий можно выделить следующие основные группы многослойных пленок: энергосберегающие (поглощающие тепло) покрытия; теплоотражающие покрытия; интерференционные и дифракционные тонкопленочные сис­темы; светопропускающие и радиационностойкие покрытия; защитные покрытия с высокими механическими свойствами.
...
Энергосберегающее покрытие играет роль аккумулятора тепла (энер­гии) и предназначено для пропускания и поглощения ИК-спектра.
...
Теплоотражающие покрытия предназначены для снижения или пол­ного отражения инфракрасного (теплового) спектра излучения и пропус­кания видимой части спектра. В теплоотражающем покрытии основную роль играет слой серебра толщиной 100 А. Такие пленки широко ис­пользуются для защиты оконных стекол жилых домов и бизнес-центров для создания комфортных условий труда и отдыха людей, в отражаю­щих элементах приборов для иллюминации и сигнальных устройствах. Данные покрытия позволяют значительно сэкономить электроэнергию, затрачиваемую на кондиционирование помещений. Поэтому для южных стран и в жаркое время года данные покрытия также являются и энер­госберегающими.
...
Интерференционные и дифракционные покрытия находят примене­ние в различных видах фильтров, функциональной и компьютерной оптике, рентгеновских зеркалах и других оптических элементах.
...
Разработка светопропускающих, радиационностойких покрытий явля­ется очень актуальной задачей в связи с тем, что их основной целью является защита человека от различных видов радиационного излучения (например, от экрана монитора компьютера, телевизора и др.) и сниже­ние нагрузки на глаза. Данная область материалов и технологий разви­вается очень быстро и во многом определяется появлением новых ма­териалов и технических решений. В последнее время большой интерес обращен к алмазоподобным пленкам. Данные пленки толщиной около ДО мкм находят применение в ИК-оптических элементах. Сегодня созда­ются четырехслойные углеродные структуры на стекле.
...
Очень важным является завершающий, внешний слой покрытия, контактирующий с окружающей средой. В этой связи покрытия разде­ляются на стойкие к лучевому воздействию прозрачные пленки, напри­мер, для защиты лазерных зеркал мощных ИК-лазеров путем осажде­ния на слой германия пленки алмазоподобного углерода ос-С:Н, увели­чивающей срок службы в 2 раза. К другой группе применений относятся прозрачные износостойкие пленки толщиной 50...150нм, например пас­сивирующегося углерода а-С:Н, для защиты фоточувствительного слоя из фотополимера или селена электрофотографических барабанов копи­ровальных аппаратов и лазерных принтеров. В результате защиты фото­чувствительных слоев от механического, озонового и радиационного воздействий срок службы барабанов увеличивается более чем в 2 раза.
...
Наука о наноматериалах в целом и наноструктурных тонких пленках в частности находится только в начале своего становления. Несмотря на определенный прогресс в области конструирования наноматериалов, остаются значительные проблемы как в фундаментальном понимании поведения систем в наномасштабе, так и в количественном измерении и установлении их свойств, что сдерживает реализацию возможностей нанотехнологии на практике. Ожидается, что дальнейшие исследования в области наноструктурных материалов приведут к новым интересным научным открытиям и технологическим разработкам.
...
ных исследований материалов. Первые электронные микроскопы появи­лись в 30-х годах XX в. в Англии и Германии, а к середине 50-х гг. они уже широко использовались в материаловедческих исследованиях. Про­гресс в развитии ПЭМ был столь быстр, что уже через 10 лет многие промышленные микроскопы были способны различать отдельные колон­ны атомов в кристалле, что привело к появлению термина «просвечи­вающая электронная микроскопия высокого разрешения» (ПЭМ BP). В последние годы ПЭМ BP стала одним из основных методов получения новых знаний о структуре материалов, о чем, в частности, свидетель­ствует большое количество публикаций на эту тему в таких ведущих международных научных журналах как Nature и Science.
...
В последние годы большой интерес вызывают многокомпо­нентные наноструктурные пленки, обладающие уникальным комплексом физико-механических свойств. Эти объекты, как правило, состоят из смеси нескольких кристаллических фаз, внедренных в аморфную матри­цу. Получение изображения с индивидуального кристаллита является важной, но довольно трудной задачей. Средний размер нанокристалли-тов обычно определяют или из полуширины дифракционных линий на рентгенограмме с помощью формулы Дебая—Шеррера, либо по методу темнопольных (ТП) изображений. Однако первый метод, особенно в случае наноструктур, может приводить к значительным погрешностям вследствие эффекта уширения дифракционных максимумов и их слож­ной формы. Это связано с вкладом целого ряда факторов, таких как суперпозиция дифракционных линий от нескольких фаз, присутствие на-нокристаллитов переменного состава с различными параметрами крис­таллической решетки, наличие макро- и микронапряжений. Размер на-нокристаллитов, определенный по методу ТП изображений, хорошо под­тверждается прямыми наблюдениями при проведении ПЭМ BP. Однако следует помнить, что в случае наноразмерного масштаба порядка 1 нм и менее размер кристаллитов совпадает с размером светлых областей на ТП изображении, соответствующих аморфному контрасту, что не позволяет однозначно интерпретировать результаты. Размер этих областей обычно составляет 0,5...1,5нм и зависит от величины дефокусировки. Отметим, что в литературе нет однозначного ответа на вопрос, какой материал, исходя из экспериментально полученных результатов, действительно счи­тать аморфным. Иногда для описания «аморфного» состояния вещества
...
ПЭМ BP является мощным инструментом для определения кристал­лической структуры отдельного зерна. В большинстве случаев на изоб­ражении высокого разрешения наблюдается периодический полосчатый контраст, который может дать детальную информацию об ориентировке кристалла. Современные микроскопы, работающие при ускоряющем напряжении 200...400 кВ, имеют разрешение 0,15...0,19 нм, что позволя­ет наблюдать двухмерный контраст от нанокристаллита, находящегося в отражающем положении. В комбинации с другими методами, такими, например, как рентгенофазовый анализ и спектроскопия энергетических потерь электронов, ПЭМ BP позволяет идентифицировать фазовый со­став наноструктурных материалов [2]. Так, на рис. 7.1 представлено ПЭМ изображения BP пленки TiAl03B08N] 2- Величины углов между плоско­стями и межплоскостные расстояния являются неопровержимыми до­казательствами кристаллита с кубической структурой.
...
Наглядным примером возможностей ПЭМ BP в инженерии поверхно­сти служит детальное описание .^-связанного нитрида бора (турбострат-ный BN). По аналогии с турбостратным углеродом, этот термин был впервые введен Томасом для описания сильно разориентированной сло­истой структуры BN, состоящей из приблизительно параллельных гекса-
...
тональных плоскостей, однако случайно повернутых относительно своей нормали. Обычно на микрофотографиях высокого разрешения .^-связан­ного BN наблюдается искривленный полосчатый контраст, являющийся проекциями базисных плоскостей, расположенных перпендикулярно плос­кости изображения. Отметим, что изучение структуры 5р
...
Хотя существуют различные методы моделирования изображения BP, общий подход состоит в следующем. Предполагается некоторая микро­структура объекта, выполняется расчет изображения, полученный резуль­тат сравнивается с экспериментальной картиной, изменяется начальная микроструктура объекта и так до тех пор, пока расчетное изображение точно не совпадет с экспериментальным. Сложность данной процедуры состоит в том, что изображение чувствительно к следующим факторам: положению электронного пучка относительно объекта и оптической оси прибора; толщине образца, величине дефокусировки объективных линз, хроматической аберрации, когерентности пучка и внутренней вибрации материала. Для проведения корректных вычислений необходимо обла­дать по возможности полной информацией как об образце, так и об используемом микроскопе, так как многие параметры используются в программах расчета. Количественная обработка изображений высокого разрешения дает возможность сохранять изображение в компьютере в
...
цифровом виде. Это позволяет не только воспроизводить 3£)-структуру материала, но и осуществлять микроскопию в собственном компьютере, например, получать электронную дифракцию или изображение в тем­ном поле (ТП).
...
Сложнее наблюдать кристаллиты размером 1 нм и менее в нетексту-рированных материалах. Для того чтобы получить четкое изображение структуры на атомном уровне, необходимо, чтобы толщина фольги была того же порядка или меньше, чем размер зерен, так как перекрывание
...
случайно ориентированных нанокристаллитов приводит к размыванию изображения. Даже если толщина фольги будет составлять 3...5 нм, что является практически идеальным объектом для микроскопии высокого раз­решения, образец является слишком толстым, для того чтобы получить ка­чественное изображение. На рис. 7.3 представлено изображение высокого разрешения структуры пленки TiAl0 2В0 7N0 7, которая, по данным ТГТ изображения, содержит нанокристаллиты с экстремально малым разме­ром, не превышающим 1 нм. Видно, что структура данной пленки не является ни полностью кристаллической, ни аморфной. Хотя большая часть изображения имеет аморфно-подобный контраст, можно четко раз­личить упорядоченные области с параллельным контрастом, как пока­зано на рисунке стрелками. Эти участки соответствуют вкраплениям кристаллической фазы размером менее 1 нм в аморфную матрицу. На рис. 7.4 показан участок пленки TiAl0 2В0 7N0 7 с упорядоченной струк­турой. Расстояние между проекциями атомных плоскостей составляет 0,33 нм, что является характеристикой базисных плоскостей гексагональ­ного нитрида бора (/г-BN), ориентированных перпендикулярно плоско­сти изображения. Рис. 7.4 также демонстрирует экстремально малый размер кристаллита, в котором укладывается всего три базисные плос­кости, что соответствует одной элементарной ячейке /i-BN. Отметим, что идентификация неизвестного материала по проекции атомных плоско-
...
Рис. 7.4. ПЭМ изображение BP (вид сверху) пленки "ПА10 2В0 71МЦ 7, показывающая па­раллельный контраст от частицы размером 1x3 нм, соответствующий проекциям базис­ных плоскостей /i-BN с межплоскостным расстоянием 0,33 нм на плоскость изображе­ния [2]
...
стей не является абсолютно достоверным методом, так как изображе­ние может меняться в зависимости от толщины фольги и условий фо­кусировки. В этом случае на помощь приходит аналитическая электрон­ная микроскопия. Химический состав индивидуального нанокристалла или границы раздела может быть определен с помощью энерго-диспер-сионной спектроскопии (ЭДС). Спектроскопия энергетических потерь электронов (СЭПЭ) позволяет получать информацию о типе и ближай­шем окружении атомов в соседних оболочках. Определение типа структуры может быть осуществлено в первом приближении путем срав­нения энергетического спектра исследуемого материала со спектрами, полученными с эталонов. Применение СЭПЭ в комбинации с другими методами позволяет определять фазовый состав многокомпонентных на-носфуктурных пленок с размером зерен 0,3...4нм [2].
...
Структура границ раздела довольно часто анализируется с помощью ПЭМ BP, так как, с одной стороны, она обеспечивает хоро­шее разрешение на атомном уровне, а с другой - граница раздела яв­ляется идеальным объектом. Если плоскости с низкими индексами в обоих смежных зернах строго параллельны поверхности фольги, то мож-
...
Рис. 7.4. ПЭМ изображение BP (вид сверху) пленки "ПА10 2В0 7Ц 7, показывающая па­раллельный контраст от частицы размером 1x3 нм, соответствующий проекциям базис­ных плоскостей /i-BN с межплоскостным расстоянием 0,33 нм на плоскость изображе­ния [2]
...
но получить практически идеальное 2/)-изображение и моделировать структуру с помощью компьютера. К сожалению, это довольно редкий случай и исследователь вынужден довольствоваться тем, что электрон­ный луч параллелен оси зоны с низкими индексами только одного из смежных зерен; в этом случае в соседнем зерне может наблюдаться лишь полосчатый контраст от проекции атомных плоскостей на плоскость изображения.
...
Повышенный интерес к строению границ раздела в наноструктурных тонких пленках связан с тем, что значительное количество атомов рас­положено на границах зерен. В этой связи Глейтером с сотрудниками было высказано предположение о возможности существования нового состояния вещества. На основе расчетов, выполненных с помощью ме­тодов молекулярной динамики, было показано, что микроструктура низ­коразмерных материалов состоит из кристаллических зерен и аморфных межзеренных прослоек однородной толщины. Отсюда авторы пришли к заключению, что нанокристаллические материалы со случайной ориен­тировкой зерен содержат только высокоэнергетические границы раздела. В противоположность этому утверждению, ряд авторов полагает, что границы раздела не являются неупорядоченными. Недавно Вепрек [11] предложил теоретическую концепцию создания сверхтвердых покрытий, в которой нанокристаллиты размером менее 10 нм окружены тонким слоем аморфной фазы толщиной менее 1 нм. В дальнейшем авторы пред­ставили экспериментальные подтверждения своей идеализированной те­оретической модели. В противоположность этим результатам было пока­зано, что границы раздела в пленках Ti-Si—C-N имеют как упорядо­ченные, так и неупорядоченные участки [8, 12]. В частности, на некоторых границах раздела отмечено хорошее сопряжение атомных плоскостей соседних зерен и отсутствие дислокаций несоответствия.
...
Аналогичный результат был получен и в пленках Ti—А1—В—N. Для того чтобы получить качественное изображение структуры границы раз­дела, необходимо, чтобы смежные нанокристаллиты имели относительно крупный размер, сопоставимый с толщиной исследуемого участка мате­риала (фольги). На рис. 7.5 показаны два кристаллита TiN со средним диаметром 6 нм. Правое зерно ориентировано близко к оси зоны [001], и наблюдаемый полосчатый контраст в обоих зернах образован плоско­стями {100}. Дополнительных межзеренных выделений или прослоек аморфной фазы по границе зерен обнаружено не было, хотя контраст изображения в правой части микрофотографии свидетельствует о нали­чии неупорядоченной структуры. Это согласуется с ранее полученными
...
результатами [8, 12] о том, что аморфная фаза преимущественно образу­ется в виде локализованных участков, а не в виде тонких аморфных прослоек по границам зерен. Пока остается открытым вопрос о структу­ре тройных стыков зерен (ТСЗ) в наноматериалах. В работе [4] было по­казано, что атомная структура границ раздела в наноструктурных плен­ках c-BN зависит от ориентационного соотношения между соседними зернами и наклона границы раздела. В частности, двойникованные гра­ницы раздела наблюдались в том случае, когда оба кристаллита имели общую ось зоны [110]C..BN , а граница раздела была параллельна плоско­стям плотной упаковки обоих зерен {111}C.BN. В случае, когда граница раздела нанокристаллитов составляла некоторый угол с плоскостью {111}C.BN, по
...
ПЭМ BP является идеальным инструментом для анатиза дефектов. В качестве примера на рис. 7.6 показана структура пленки кремния, осажденная на кремниевую подложку. Внутри частицы 25x45 нм наблю­даются двойникованные пластины, толщина которых составляет всего
...
ПЭМ изображение BP (вид сверху) пленки TiAl0 3В0 5N ( 9, показывающая границу раздела между двумя кристаллитами TiN со средним диаметром
...
1,5...3 нм. Анализ дислокационной структуры наноматериалов имеет осо­бое значение в связи с тем, что источники размножения дислокаций не могут существовать в материалах с размером зерен менее 10 нм. Имею­щиеся в литературе экспериментальные данные по данному вопросу яв­ляются довольно ограниченными и противоречивыми. Существование большого количества внутренних краевых дислокаций в кристаллитах размером 5...15нм отмечалось при изучении структуры пленок Ti—В—N с помощью ПЭМ BP [13]. При уменьшении наномасштаба дислокации внутри нанокристаллитов, как правило, не наблюдаются, хотя на гра­ницах раздела часто присутствуют дислокации несоответствия (рис. 7.2 и 7.5, а также ссылки [8, 12]).
...
К наноматериалам относятся не только материалы с малым размером зерен, но и многослойные покрытия с толщиной слоев от единиц до нескольких десятков нанометров. Многослойные покрытия
...
являются новой категорией материалов, используемых для улучшения механических свойств поверхности, в первую очередь твердости и изно­состойкости. ПЭМ BP на поперечных срезах позволяет получать инфор­мацию о последовательности слоев, их структуре, эпитаксиальной свя­зи, диффузии между слоями, структуре границ раздела и дислокацион­ной структуре. Применение этого метода стало возможным главным образом благодаря прогрессу в приготовлении объектов для структурных исследований, хотя необходимо длительное и довольно кропотливое при­готовление образцов с помощью специальных методов и методик.
...
Для наглядной демонстрации возможностей метода ПЭМ BP на по­перечных срезах рассмотрим несколько примеров. Известно, что рост пленок может сопровождаться формированием слоистой структуры, па­раметры которой можно выявить только путем проведения ПЭМ на поперечных срезах. Так, на рис. 7.7 видно, что при осаждении пленки кремния на кремниевую подложку сначала образуется тонкий аморфный слой, который далее трансформируется в мелкокристаллический слой, состоящий из равноосных зерен, и далее в слой с колонной структурой с боковым размером зерен 0,3... 1 мкм.
...
На рис. 7.8 показана структура пленки BN, полученная путем маг-нетронного распыления мишени гексагонального BN [3]. Видно, что структура пленки состоит из аморфного слоя толщиной 6 нм, текстуро-ванного слоя 5р
...
ПЭМ BP на поперечных срезах также позволяет анализировать гра­ницу раздела покрытие/подложка, что дает возможность судить не толь­ко об их кристаллографической связи, но и о механизме роста пленок. Известно, что поверхность подложки, как правило, не является атоми­стически плоской и может содержать различные неровности (ступеньки роста, дефекты полировки и т.д.). В то же время в литературе имеется довольно ограниченное количество данных по влиянию нанорельефа поверхности подложки на морфологию тонких пленок.
...
На рис. 7.9 показано электронно-микроскопическое изображение вы­сокого разрешения (поперечное сечение) переходной зоны покрытие LiNb0 7Та0 303/подложка А1203 [14].
...
Известно, что существуют два основных механизма роста пленок: образование изолированных трехмерных островков (механизм Фольмера-
...
Вебера) и рост слоя. В после­днем механизме часто выделяют две моды: двухмерный рост слоя (механизм Франка и Ван-дер-Мерве) и рост тонкого слоя с последующим появлением на нем трехмерных зародышей (ме­ханизм Странского-Крастанова). В частности, имеются данные о росте пленок ниобата лития по механизму Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова. В пос­леднем случае толщина началь­ного слоя составляла всего 1 нм. Также стоит отметить, что во многих работах отмечалось от­сутствие промежуточного слоя на границе раздела LiNbO,/Al203. Морфология поверхности под­ложки является очень важной характеристикой с точки зрения механизма роста пленок [14]. Из эксперимента, описанного выше, следует, что зарождение кристал­литов происходило на плоских террасах нановыступов, располо­женных на поверхности сапфи­ра, и кристаллическая фаза пол­ностью покрывала поверхность этих выступов, однако рост кри­сталлов за боковые грани ступе­нек не распространялся. Отсюда можно заключить, что роста рав­номерного тонкого слоя (меха­низм Странского-Крастанова) на начальном этапе процесса не происходило. Пространство меж­ду выступами, как правило, за­полнялось аморфной фазой. Так
...
как при росте пленок по механизму Фольмера—Вебера аморфный слой не образуется, то отсюда можно заключить, что наличие нановыступов на поверхности подложки приводит к механизму роста пленок, отлич­ному от основных ранее известных типов роста.
...
ПЭМ BP становится важным инструментом и в исследовании повер­хности твердых тел, особенно наноструктурных материалов, где возмож­ности традиционных методов анализа поверхности, таких как сканиру­ющая электронная микроскопия (СЭМ), сканирующая туннельная мик­роскопия (СТМ) и др., ограничены. Совсем недавно ПЭМ BP хорошо себя зарекомендовала для локального анализа тонкого приповерхност­ного слоя наноматериалов. Так, в основе субплантационной модели роста c-BN лежит гипотеза о том, что на поверхности растущего c-BN образуется монослой 5
...
Рис. 7.9. Электронно-микроскопическое изображение высокого разрешения (попереч­ное сечение), показывающее зарождение кристаллита LiNbOj на плоской террасе вы­ступа, расположенного на поверхности подложки сапфира. Направление падающего электронного пучка совпадает с направлением [2110|ПОД1,. Боковые границы выступа по­казаны стрелками [14]
...
Относительную пространственную глубину деталей на изоб­ражении можно оценить с помощью стереомикроскопии. Для этого получают два снимка с одного и того же участка, повернутых друг от­носительно друга не менее чем на 5°, и рассматривают полученные картинки с помощью стереопроектора. В случае, когда исследователь работает с многофазным материалом, который имеет несколько фаз с близкими параметрами решетки, полезным может оказаться примене­ние метода 2^ D. Если наблюдать два темнопольных изображения, по­лученных при различных установках фокуса, через стереопроектор, то можно идентифицировать различные фазовые составляющие на разных
...
глубинах. Однако следует помнить, что метод 2^0 не отражает реаль­ного пространственного положения фаз. С появлением микроскопов, оборудованных автоэлектронной эмиссионной пушкой, все большее значение приобретает метод электронной голографии. В отличие от обычного ПЭМ, при получении голографического изображения запи­сывается как амплитуда, так и частота электронного пучка; таким об­разом, сохраняется полная информация об объекте. Однако следует отметить, что интерпретация интерференционной картины не является тривиальной задачей. Информацию о поверхности материала можно получать с помощью ПЭМ в сканирующем режиме или метода «то­пографического контраста». Сканирующая ПЭМ не требует приготов­ления тонкой фольги, однако поверхность материала должна быть от­носительно плоской и не содержать примесей или оксидного слоя. К преимуществам метода следует отнести возможность исследования по­верхности in-situ
...
В последние годы заметен значительный прогресс в анализе структу­ры различных тонкопленочных систем и покрытий с помощью метода ПЭМ BP. Этот прогресс связан с разработкой не только новых микро­скопов, таких, например, как микроскопы с автоэлектронной эмисси­онной пушкой, но и новых методов приготовления тонких фольг и компьютерного моделирования изображений высокого разрешения. Воз­можности метода значительно расширяются с использованием «анали-
...




  • Сварка на контактных машинах
    Краткий справочник технолога-термиста
    Спутник термиста
    Новые материалы
    Твердые сплавы
    Цементация стали
    Зварювальні матеріали

    rss
    Карта