Конструкционные материалы: Справочник

Листать книгу

Страницы: ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

скачать книгу Конструкционные материалы: Справочник

СВЧ-ферриты по химическому составу и основному рабочему диапазону длин волн разделяют на шесть групп* В соответствии с классификацией а
...
Магннтодиэлектрические материалы. Магнитодиэлектриком называют магнитный материал, в котором связкой является диэлектрик, а наполни-
...
телем — магнитомягкий металлический или ферритовый порошок (ГОСТ 23618—79). В качестве металлического наполнителя применяют карбонильное железо, размолотые сплавы альсифер и пермаллой. Электроизоляционная пленка, создаваемая специальной технологией нанесения на ферромагнитные частицы органического или неорганического материала, снижает потери на вихревые токи магиитодиэлект-рических композиционных материалов, тем самым обеспечивая возможность их использования для деталей, работающих при высоких частотах (до сотеи мегагерц при высокой стабильности магнитных свойств). Изделия
...
получают путем холодного прессования при давлении 600—2000 МПа с последующей термической обработкой для снятия напряжений и стабилизации магнитных свойств. Магнитоди-электрики применяют в катушках индуктивности и трансформаторах для аппаратуры проводной связи и радиосвязи, в радиоэлектронных устройствах.
...
Магнитодиэлектрики изготовляются на основе карбонильного железа (ГОСТ 13610—79), кольцевые сердечники — из прессованного порошкообразного альснфера (ГОСТ 8763—77), магнитодиэлектрики — на основе пермаллоя. Сердечники из порошкообразного альсифера имеют регламентированные размеры: наружный диаметр 15—75 мм, внутренний диаметр 7— 46 мм, высоту 4,8—16,8 мм. Предел прочности сердечника при изгибе не менее 4900 кПа. Сердечники можно эксплуатировать в условиях воздействия на них вибрационных нагрузок с диапазоном частот 1—5000 Гц и максимальными ускорениями до 392 м/с3. Начальная магнитная проницаемость сердечника от воздействия механических нагрузок практически не зависит. Временная нестабильность магнитной проницаемости сердечников при эксплуатации в регламентированных рабочих режимах за 50 000 ч находится в пределах ±5%. Свойства магннтодиэлектриков соответствуют указанным в табл. 63.
...
Сплавы с заданным температурным коэффициентом линейного расширения. Во многих областях техники требуются материалы, позволяющие сохранять стабильные размеры изделий или их регламентированное изменение при определенных температурных диапазонах эксплуатации. Этим требованиям отвечают сплавы, относящиеся к классу материалов с особыми тепловыми свойствами. Основной
...
характеристикой сплавов является тем-пературный коэффициент линейного расширения (ТКЛР). В свою очередь все сплавы, в зависимости от физиче-ской природы, определяющей ТКЛР делят на ферромагнитные и немагнитные. Ферромагнитные сплавы разра-ботаны на железоиикелевой основе немагнитные — на основе хрома' никеля, титана, циркония, меди, мар! ганца с добавками различных легирующих элементов.
...
К ферромагнитным сплавам с минимальным значением ТКЛР относят сплавы с ТКЛР ниже 3,5- Ю-6 °Сг». Сплавы пластичны, поддаются ' механической обработке, сварке и пайке. Их применяют для изготовления деталей измерительных приборов, криогенных установок, в качестве составляющих термобиметаллов, базисных деталей лазеров. Марки и сортамент сплавов, выпускаемых промышленностью, представлены в табл. 65.
...
Химический состав сплавов 36Н, 32НКД, 32НК-ВИ, 35НКТ, 39Н определен ГОСТ 10994—74, нормы ТКЛР, а также химический состав и значения ТКЛР сплавов 32НК-ЭЛ, 35НКГ, 36НГТ приведены в работе [24].
...
Ферромагнитные сплавы с низким ТКЛР характеризуются значениями коэффициента а от 3 до 7-10~6 "С"1. Марки сплавов и их сортамент приведены в табл. 67.
...
70. Свойства ферромагнитных сплавов со средним значением ТКЛР [24]
...
Полупроводник — это материал, о&. новным свойством которого является сильная зависимость его электриче-ской проводимости от воздействия внешних факторов, таких, как температура, электрическое поле, свет и т. д. (ГОСТ 19880—74).
...
Полупроводники бывают простые и,-сложные. Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента, будет простым. Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов, будет- сложным.
...
В полупроводниках носителями за-1 ряда, обусловливающими электрическую проводимость, являются дырки проводимости и электроны. Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность, называется собственным полупроводником. Электропроводимость собственно полупроводника в равновесном состоянии обусловлена как дырками проводимости, так и электронами проводимости, причем их концентрации равны. Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями, называется примесным полупроводником. Полупроводник, электрическая проводимость которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости, будет дырочным полупроводником. У электронного полупроводника проводимость обусловлена в основном электронами проводимости.
...
Свойства полупроводников объяснены в зонной теории твердых тел, Для электронов в твердых телах имеются разрешенные и запрещенные зоны энергии. В каждой из разрешенных зон энергия изменяется дискретным образом и число энергетических состояний ограниченно. Если валентная воиа заполнена электронами полностью, а следующая зона разрешенных энергий (зона проводимости) — ,ПУС^ и интервал запрещенных энергий (ш**
...
72. Свойства немагнитных сплавов со средним значением ТКЛР [24)
...
.„па запрещенной зоны Д£) не превышает 1—3 эВ, то такие твердые тела г.,дут полупроводниками. При —273 °G Центрическая проводимость таких веществ равна нулю. В результате ка-к0го-либо энергетического воздействия (температуры, излучения) электроны из валентной зоны могут быть переведены в зону проводимости. В полупроводнике возникают носители заряда: электроны в зоне проводимости н дйрки в валентной зоне. Электрическая проводимость полупроводников увеличивается с повышением температуры и определяется соотношением
...
Известно около 1000 простых и сложных полупроводников. Многие из них используются для изготовления различных электронных приборов и микросхем, СВЧ-генераторов, фоточувствительных и преобразовательных приборов, лазеров, термисторов, термоэлементов, тензочувствительных элементов, датчиков Холла и др,
...
Свойства полупроводниковых приборов определяются свойствами исходных материалов. Для полупроводниковых материалов, выпускаемых промышленностью, применяются те или иные из показателей качества, установленных ГОСТ 4.64—80 (номенклатура показателей).
...
Простые полупроводники. Из простых полупроводников наибольшее применение нашли кремний и германий. Некоторые физико-химические свойства германия и кремния приведены в табл. 74.
...
Для изготовления разнообразных приборов требуются полупроводнико-, вые материалы с различными свойства-ми- Ниже при описании марок полупроводниковых материалов, выпускаемых промышленностью, после характеристик монокристаллических слитков в
...
полупроводникового" материала установлены и контролируются показатели качества, определенные ГОСТ 4164—80. Группы и подгруппы марок материала имеют различный набор численных значений показателей качества.
...
75. Основные электрофизические параметры слитков монокристаллического кремния, полученных методом Чохральского (ТУ 48-4-295—82)
...
Основные электрофизические параметры слитков монокристаллического кремния, полученных методом Чохральского
...
дырочного (Д). Монокристаллические слитки не должны иметь дислокаций и свирлевых дефектов. Концентрация атомов оптически активного кислорода (N
...
Время жнзни неравновесных носителей заряда зависит от номинального УЭС слитка и для электронного типа электрической проводимости составляет (в мкс): для номинального УЭС от 0,01 до 0,5 Ом-м — не менее 400рн; св. 0,5 до 1,00 Ом-м — не менее 200рн; св., 1,00 до 1,50 Ом-м —не менее 150рн; для дырочного типа электрической, проводимости от 0,01 до 0,4 Ом-м — не менее 400рн; св. 0,4 до 1,50 Ом-м — ' не менее 200рн.
...
Монокристаллический кремний в слитках (ГОСТ 19658—81, ОКП 17 . 7930), предназначенный для приготовления пластнн-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл—диэлектрик—полупроводник, легированный бором (Б) (марки ЭКДБ), изготовляют дырочного типа электрической проводимости (Д), п легированный фосфором (Ф) (марки ЭКЭФ) или сурьмой (С)
...
(марки ЭКЭр — электронного ТИп электрической проводимости (Э) с плот, ностью дислокаций не более 105 Ориентация продольной оси монокрис.' таллического слитка кремния [Цп или [100]. Предельное отклонение плоскости торцового среза монокрв-сталлических слнтков от плоскости ориентации не "должно превышать 3° Номинальные диаметры слитков 62,5+|* 78,513 и 102,513 мм. Концентрация кис-' лорода в слитках кремния диаметром 62,5 и 78,5 мм не должна превышать 7-1023 м_3, а в слитках диаметром 102,5 мм — 1 • 1024 м-3. Слнткн кремния с удельным электрическим сопротивлением более 0,03 Ом-м должны иметь время жнзни неравновесных носителей заряда: длн электронного типа электрической проводимости — не менее 7,5 мкс, для дырочного — не менее 2,5 мкс. Десять групп марок слитков монокристаллического кремния характеризуются различным номинальным удельным электрическим сопротивлением (0,00005—0,4 Ом-м), относительным отклонением средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения на 20—40 % и различным относительным отклонением удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу слитка на 10—20%.
...
Монокристаллический кремний, предназначенный для производства полупроводниковых источников тока (ТУ 48-4-258—80, ОКП 17 7215), изготовляется в виде монокристаллических слитков, полученных по методу Чох-ральского, диаметром 40—55 мм и длиной не менее 50 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слнтка [1111 или по согласованию с
...
77. Удельное электрическое сопротивление и ориентация продольной оси монохристаллического слитка для различных марок кремния (ТУ 48-4-466—85)
...
Кремний КСД — солнечным дыроч-ноГО типа электрической проводимости, легированный бором; значения УЭС Q 00з_о
...
Монокристаллнческий кремний, полученный бестигельной зонной плавкой, легированный фосфором в процессе нейтронной активации, предназначенный для производства силовых полупроводниковых приборов, выпускается либо марки БО — бестнгельный одно-роднолегированный (ТУ 48-4-449—83), либо марки КОФ — кремний однородный, легированный фосфором (ТУ 48-4-443—83, ОКП 17 7222).
...
„Слитки монокристаллнческого кремния марки БО имеют диаметр 54± ±0,05 мм, длину не менее 100 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111]; отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°. Считки имеют электронный тип электрической проводимости, интервал УЭС 1,30—1,50 Ом-м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 мкс. Плотность дислокаций не более Ю5 м~а. Свирлевые- дефекты отсутствуют. Концентрация атомов оптически активного кислорода неболее 1- 1032м"3, оптически активного углерода не более 4-Ю22 м-3.
...
Слитки монокристаллического кремния марки КОФ имеют диаметр 44, 54, 60 либо 84 мм с погрешностью ±1 мм, Ориентация оси слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более За. Имеются два интервала номинальных значений УЭС: 0,40—2,00 и 2,10— 3,оООм-м. Время жизни неравновесных носителей заряда (в"мкс) должно быть не менее половины УЭС (в Ом-см) Для номинальных значений УЭС 0,70— ',00 Ом-м и не менее 30 мкс для номинальных значений УЭС 0,40—0,60 (jm-m
...
нальным УЭС 2,10—3,50 Ом-м должно быть не менее 100 мкс. Плотность дислокаций в слитках не более 108 м-3, Концентрация оптически активных кислорода и углерода не должна превышать 5• 1022 м-3. Допустимое относительное отклонение средних значений УЭС торцов от номинального значения и допустимое относительное отклонение УЭС от среднего значения по торцу слитка не должно превышать соответственно 12 и 7 % для слитков с номинальным значением УЭС 0,40— 2,00 Ом-м и 15 и 10% для слитков с номинальным значением УЭС 2,10— 3,50 Ом-м.
...
Монокристаллическнн кремний для фотопрнемников (ТУ 48-4-363—75) получают как методом бестигельной зонной плавки (ОКП 17 724 марки КБ), так и методом Чохральского (ОКП 17 7214 марки КЧ), дырочного и электронного типа электрической проводимости (легированы бором и фосфором соответственно).
...
Некоторые электрофизические свойства кремния, предназначенного для фотоприемников, Приведены в табл. 78. Диффузионная длина неравновесных носителей заряда
...
где D = 35,36 см2/с для кремния дырочного типа электрической проводимости и D — 13 см2/с для кремния электронного типа электрической проводимости. Концентрация оптически активного кислорода должна быть не более Ы0мм~8 для марок КБ и 7-1023 м~3 для марок КЧ. Кроме приведенных величин, слитки кремния различаются геометрическими размерами.
...
Монокристаллический кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки из поликристаллического кремния водородного восстановления (ТУ 48-4-253—73, ОКП 17 7221), предназначенный для производства полупроводниковых приборов, выпускается марки КВД (кремний водородный дырочного типа электрической проводимости).
...
Монокристаллы германия, предназначенные для производства полупроводниковых приборов, легированные сурьмой, изготовляют (ГОСТ 16153— 80) электронного типа электрической проводимости (ГЭ) и легированные галлием дырочного типа электрической проводимости (ГД). Диаметр моно-кристаллическнх слитков 28—40 мм» длина не менее 50 мм. Интервал номинальных УЭС 0,001—0,45 Ом-м. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111]; предельное отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°,
...
Номинальные УЭС монокристалли-.ческих слитков выбирают в соответствии с ГОСТ 8032—84 по следующим рядам: для УЭС 0,0001—0,1 Ом-м — (0,1; 0,12; 0,15; 0,2; 0,25; 0,31; 0,4; 0,5; 0,63; 0,8; 1,0)-10~2 Ом-м; для УЭС 0,01—0,10 Ом-м — (1,1; 1,4; 1,8; 2,2; 2,8; 3,5; 4,5; 5,6; 7,1; 9,0)-10"2 Ом.м;. для УЭС 0,10—0,45 Ом-м — (11,2; 14; 18; 22,4; 28; 35,5; 45)-10~2 Ом-м.
...
Монокристаллнческие слитки германия по допускаемому отклонению удельного электрического сопротивления от выбранного номинала и по плотности дислокаций делят на три подгруппы. Для подгруппы 1 допускаемое отклонение УЭС от выбранного номинала не должно составлять более ±25%, для подгруппы 2 — более ±20 % и для подгруппы 3 — более ±15 %.
...
Плотность дислокаций для подгруппы 1 должна составлять не более 5-108 м-2, Для подгруппы 2 — не более 2-108 м-2, для подгруппы 3 — не более 8-10' м"2.
...
Монокрнсталлический германий, легированный золотом (3), сурьмой и Золотом (СЗ), галлием и золотом (ГЗ) U У 48-4-291—74, ОКП 17 7441), предназначенный для производства полупроводниковых приборов, поставляется
...
физико-химические свойства полупроводниковых соединений типа A^,I!B^V 133, 3ff\
...
дырочного типа электрической проводимости. В качестве легирующих примесей используются сера, цинк, окись хрома. Для легирования высокоомного фосфида галлия марки ФГВ-1 используются железо, ванадий и марганец. Легирование фосфида галлия марок фГВ-2 и ФГВ-3 осуществляется хромом. Слитки монокристаллического фосфида галлия выпускаются с номинальными значениями диаметра 35, 40, 45, 50 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111] или (1001. Некоторые электрофизические свойства монокристаллических слитков фосфида галлия приведены в табл. 85.
...
Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4-464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность
...
Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей (ТУ 48-4-420—80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллическнх слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского.
...
Концентрация ОНЗ при —196 °С в образцах поликристаллического ар-сенида индия не превышает 5-1022 м-3; концентрация ОНЗ для различных марок монокристаллического арсенида индия приведена в табл. 87. Марки монокристаллических слитков делятся
...
91, Механические свойства аморфных металлических сила
...

Конструкционные материалы: Справочник
Основы металлографии и пластической деформации стали
Оборудование для контактной сварки постоянным током
Справочник конструктора металлических конструкций

"Сварка-ЛИБ" - Техническая библиотека сварщика | Сварка, термообработка, материалы, металлы и сплавы

admin

Конструкционные материалы: Справочник